Исследование функциональных возможностей гомо и четероэпитасиальных слоев InSb, InAs и GaAs
author
statement of authorship
О. Постных, Г. Портной, В. Тихонов, В. Бессонов, Г. Вяльямяэ, И. Тильк
source
Электронная техника. Серия 6, Материалы : научно-технический сборник
publisher
journal volume number month
8 (81)
year of publication
pages
с. 45-47
TalTech department
language
vene
Постных, О., Портной, Г., Тихонов, В., Бессонов, В., Вяльямяэ, Г., Тильк, И. Исследование функциональных возможностей гомо и четероэпитасиальных слоев InSb, InAs и GaAs // Электронная техника. Серия 6, Материалы : научно-технический сборник (1983) 8 (81), с. 45-47.