Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур
author
Aškinazi, G.
Zolotarevskaja, O.
Meiler, Boriss
statement of authorship
Г. Ашкинази, О. Золотаревская, Л. Мазо, А. Падьюс, Б. Мейлер
source
Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей
location of publication
Таллин
publisher
Валгус
year of publication
1978
pages
с. 64-66 : илл
url
https://www.ester.ee/record=b1262177*est
subject term
galliumarseniid
struktuur
defektid
mõjud
TTÜ department
füüsika kateeder
language
vene