Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации

location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 49-55
series variant title
TPI Toimetised ; 620
Труды ТПИ ; 620
notes
Библиогр. : 6 назв
language
vene