Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур

author
statement of authorship
Э.Э. Велмре
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 166-174 : ил
series variant title
TPI Toimetised ; 674
Труды ТПИ ; 674
notes
Библиогр. : 11 назв
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
language
vene