Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
author
Ivanov, Pavel
Potapov, Alexander
Samsonova, Tatyana
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
statement of authorship
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol’kov, N. Sleptsuk
source
Физика и техника полупроводников
journal volume number month
Том 45, 10
year of publication
2011
pages
с. 1358-1362 : ил
subject term
pooljuhtseadised
ränikarbiid
spektroskoopia
notes
Библиогр.: 13 назв
review
Summary: DLTS study of 4H-SiC based p−n junctions fabricated by boron implantation
language
vene