Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine
author
supervisor
statement of authorship
Muhammad Haroon Rashid ; [supervisor: Ants Koel, co-supervisor: Toomas Rang ; Tallinn University of Technology, School of Information Technologies, Thomas Johann Seebeck Department of Electronics]
type of dissertation
doktoritööd
university/scientific institution
Tallinna Tehnikaülikool
location of publication
Tallinn
publisher
year of publication
pages
175 p. : ill
series
Tallinn University of Technology. Doctoral thesis = Tallinna Tehnikaülikool. Doktoritöö ; 6/2021
subject term
subject of form
ISSN
2585-6898
ISBN
978-9949-83-658-1
notes
Autori publikatsioonide nimekiri lk. 9-10
Bibliogr. lk. 61-72
Kättesaadav ka võrguteavikuna
Kokkuvõte eesti keeles
Autori CV inglise ja eesti keeles, lk. 174-175
Thesis (Ph.D.) : Tallinn University of Technology, 2021
url
TTÜ department
language
inglise
Rashid, M.H. Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine. Tallinn : TalTech Press, 2021. 175 p. : ill. (Tallinn University of Technology. Doctoral thesis = Tallinna Tehnikaülikool. Doktoritöö ; 6/2021).