Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
author
statement of authorship
Корольков O.M., Козловский В.B., Лебедев A.A., Слепчук Н., Toompuu J., Rang T.
journal volume number month
вып. 7
year of publication
pages
с. 991-994
ISSN
0015-3222
notes
Bibliogr.: 17 ref
language
vene
subject term
keyword
карбид кремния
облучение электронами
радиационные дефекты
отжиг
TTÜ department
Корольков, O.M., Козловский, В.B., Слепчук, Н., Toompuu, J., Rang, T. et al. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами // Физика и техника полупроводников (2019) вып. 7, с. 991-994.