Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках

author
statement of authorship
Т. Ранг
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 26-36 : ил
ISSN
0136-3549
0320-3441
notes
Библиогр. : 30 назв
Abstract: Modelling of the concentration of the charge carriers in semiconductors
scientific publication
teaduspublikatsioon
TalTech department
language
vene
Ранг, Т. Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках // Исследования по прикладной квантовой электронике. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1987. с. 26-36 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 639, Радиотехника ; 15). https://www.ester.ee/record=b1273963*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/0a14b5bc-25af-4434-9f17-e608859b5032