Influence of excitonic scattering on charge carrier ambipolar diffusion in silicon
autor
Udal, Andres
Velmre, Enn
vastutusandmed
Enn Velmre and Andres Udal
allikas
ESSDERC'97 : proceedings of the 27th European Solid-State Device Research Conference, Stuttgart, Germany, 22-24 September 1997
ilmumiskoht
S.l.
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
1997
leheküljed
p. 212-215: ill
konverentsi nimetus, aeg
The 27th European Solid-State Device Research Conference, 22-24 September 1997
konverentsi toimumispaik
Stuttgart, Germany
leitav
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=1503333
https://doi.org////10.1109/ESSDERC.1997.194403
märksõna
difusioon (füüsika)
räni
hajumine
mõjud
ISBN
2-86332-221-4
märkused
Bibl.: 18 ref
Open Access
Open Access
TTÜ struktuuriüksus
elektroonikainstituut
keel
inglise