Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии
autor
Rang, Toomas
Velmre, Enn
vastutusandmed
Т. Ранг, Э. Велмре
allikas
Анализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
Таллинский политехнический институт
ilmumisaasta
1977
leheküljed
с. 115-120 : илл
seeria-sari
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 432
Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей ; 15
seeria variantpealkiri
TPI Toimetised ; 432
Труды ТПИ ; 432
leitav
https://www.ester.ee/record=b2190987*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/b7c66054-0b4f-4684-9453-442bc7e6e200
märksõna
pooljuhtide tehnoloogia
räni
lisandid
temperatuur
elektronjuhtivus
TTÜ märksõna
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
märkused
Библиогр. : 12 назв
Summary: Electron and hole mobility in silicon related to the doping concentration and temperature
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.2
TTÜ struktuuriüksus
elektroonika kateeder
keel
vene