Simulation of advanced super-speed BiCMOS static memory cells based on the reverse base current effect of avalanche transistors

autor
vastutusandmed
A.Bubennikov, A.Zykov
ilmumiskoht
[Tallinn]
ilmumisaasta
leheküljed
p. 63-66: ill
ISBN
9985-59-081-3
märkused
Bibl. 2 ref
keel
inglise