К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индия
autor
Gavrilov, Aleksei
Danilov, J.V.
Katšurin, G.A.
Mere, Arvo
vastutusandmed
А.А. Гаврилов, Ю.В. Данилов, Г.А. Качурин, А.Л. Мере
allikas
Физическая химия соединений AIIBVI
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
Таллинский политехнический институт
ilmumisaasta
1981
leheküljed
с. 105-112 : илл
seeria-sari
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515
Полупроводниковые материалы ; 4
seeria variantpealkiri
TPI Toimetised ; 515
Труды ТПИ ; 515
leitav
https://www.ester.ee/record=b1533413*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/dceb76ed-f60b-4ce9-b87e-618a41d25bb8
märksõna
pooljuhtmaterjalid
fotoelektrilised omadused
valgustundlikkus
indium
antimoniidid
TTÜ märksõna
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
ISSN
0136-3549
0320-3395
märkused
Библиогр. : 11 назв
Summary: The choice of the construction of the photosensitive p-n junctions on InSb
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.2
TTÜ struktuuriüksus
füüsika kateeder
keel
vene