Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронамиKorolkov, Oleg; Kozlovski, Vitali; Lebedev, Alexander; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, Jana; Rang, ToomasФизика и техника полупроводников2019 / с. 991-994 https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089