Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Исследование процесса переключения диодных структур низковольтных диодов с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Lumi, J.; Tarma, Mati; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 13-17 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Исследование прямой ВАХ мощных диодов с узкой базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Tarma, MatiПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 9-12 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Неоднородность включения разветвленного катода КВТSaks, P.; Seilenthal, MatsПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 104-106 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

О динамических параметрах разрабатываемых комбинированно-выключаемых тиристоровSaks, P.; Tarma, MatiПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 107-110 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Численное моделирование процесса выключения одномерных кремниевых тиристорных структурVelmre, Enn; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 74-79 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

Численное моделирование физических процессов в прямосмещенных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 25-31 https://www.ester.ee/record=b1356516*est