Высоковольтный диод серии В9Vaher, G.; Vergi, U.; Karuks, O.; Kuusik, E.; Krunks, O.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 5-12 https://www.ester.ee/record=b1273235*est

Низковольтные диоды на большие токи с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Karuks, O.; Mäe, T.; Tarma, M.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 23-29 https://www.ester.ee/record=b1264428*est

Низковольтный диод для электросварки и гальваники с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 50-62 https://www.ester.ee/record=b1273235*est

О возможности улучшения прямой ВАХ высоковольтного диодаVaher, G.; Krunks, O.; Kuusik, E.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 13-20 https://www.ester.ee/record=b1273235*est

Разработка и освоение производства серии мощных тиристор-диодовSeleninov, Kazimir; Tarma, M.; Krunks, O.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 161-167 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est

Создание и свойства высокоомных эпитаксиальных слоев кремния большой площадиVinnal, J.A.; Kõverik, Kait; Tarma, M.Тезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной 80-летию со дня изобретения радио А. С. Поповым1975 / с. 3 https://www.ester.ee/record=b1322122*est

Усовершенствование технологии и конструкции диодов Д143-2000 с применением диффузионной сваркиVaher, G.; Karuks, O.; Kruus, J.; Surženkov, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiТехнология силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1987 / с. 134-138 : ил., табл https://www.ester.ee/record=b1353933*est