Методы исследования исходных полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структурMere, Arvo; Paat, Aadu; Rusalep, Ervin; Uder, Ülo-OlimarПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 21978 / с. 173-180 https://www.ester.ee/record=b1273255*est

Процессы роста и формирование морфологии и структуры толстых автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия при выращивании из раствора-расплаваMeiler, Boriss; Zolotarevski, L.; Orenštein, I.; Paat, AaduEesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1988 / lk. 310-314 : ill https://www.ester.ee/record=b1264310*est

Создание и свойства высокоомных эпитаксиальных слоев кремния большой площадиVinnal, J.A.; Kõverik, Kait; Tarma, M.Тезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной 80-летию со дня изобретения радио А. С. Поповым1975 / с. 3 https://www.ester.ee/record=b1322122*est