Коэффициенное ударное ионизацеи носителей заряда в  арсениде галлияRang, Toomas; Puusepp, MärtЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1987 / с. 98-100 https://www.ester.ee/record=b2160501*est

Сверхрезкие варикапы на эпитаксиальных пленках арсенида галлия, полученные с помощью ионного внедренияGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1977 / с. 99-103 https://www.ester.ee/record=b2160501*est

Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSbGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1980 / с. 108-112 https://www.ester.ee/record=b2160501*est