A theoretical study of electron drift mobility anisotropy in n-type 4H- and 6H-SiCVelmre, Enn; Udal, AndresAbstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials : ICSCRM'99 : October 10-15, 1999, Research Triangle Park, North-Carolina, USA1999 / paper no 395, 2 p A theoretical study of electron drift mobility anisotropy in n-type 4H- and 6H-SiCVelmre, Enn; Udal, AndresProceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99) : Research Triangle Park, North-Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999. Vol. 12000 / p. 725-728 A theoretically accurate mobility model for drift-diffusion power device simulationVelmre, Enn; Udal, Andres; Kocsis, T.; Masszi, F.16th Nordic Semiconductor Meeting, Laugarvatn, Iceland, June 12-15, 1994 : abstracts1994 / p. 92 A theoretically accurate mobility model for semiconductor device drift-diffusion simulationVelmre, Enn; Udal, Andres; Kocsis, T.; Masszi, F.Physica scripta1994 / p. 263-267 Ab inito study of GaN properties using VASP software packageKlopov, Mihhail; Kuusk, Ahto; Velmre, Enn; Udal, AndresBEC 2004 : proceedings of the 9th Biennial Baltic Electronics Conference : October 3-6, 2004, Tallinn, Estonia2004 / p. 55-58 : ill Advances in terahertz technology with emphasis on quantum cascade lasersReeder, Reeno; Velmre, Enn; Udal, AndresElektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering2010 / 8, p. 47-50 https://eejournal.ktu.lt/index.php/elt/article/view/9225 Ambipolar diffusion in a three-carrier semiconductor plasmaVelmre, Enn; Masszi, F.Program of 17th Nordic Semiconductor Meeting, Trondheim, Norwey, June 17-20, 19961996 / p. 36 Apparent decrease of diffusion coefficients due to the plasma-induced band gap narrowingUdal, Andres; Velmre, Enn19th Nordic Semiconductor Meeting : May 20-23, 2001, Copenhagen, Denmark : abstracts2001 / p. 22 : ill A brief survey of excition concentration models for SiVelmre, Enn; Udal, AndresThe 7th Biennial Conference on Electronics and Microsystem Technology "Baltic Electronics Conference" : BEC 2000 : October 8 - 11, 2000, Tallinn, Estonia : conference proceedings2000 / p. 19-22 : ill [Christou, A. Integrating reliability into microelectronics manufacturing. Series on design and measurement in electronic engineering, edited by D.V.Morgan and H.L.Grubin. Wiley, Chichester, 1994. 349 p. : Book review]Velmre, EnnEngineering applications of artificial intelligence1996 / p. 97 Comparison of methods for solving the Schrödinger equation for multiquantum well heterostructure applicationsUdal, Andres; Reeder, Reeno; Velmre, Enn; Harrison, PaulProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2006 / 3-2, p. 246-261 : ill Comparison of photon recycling effect in GaAs and GaN structuresVelmre, Enn; Udal, AndresProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2004 / 3, p. 157-172 Comparison of Si and SiC devices surge current capability by means of numerical simulationsVelmre, Enn; Udal, AndresBEC'96 : the 5th Biennial Baltic Electronics Conference, October 7-11, 1996, Tallinn, Estonia : proceedings1996 / p. 77-80: ill Comparison of uncertainty relations in quantum mechanics and signal processingUdal, Andres; Kukk, Vello; Velmre, Enn; Klopov, Mihhail11th International Conference on Squeezed States and Uncertainty Relations and 4th Feynman Festival : Olomouc, Czech Republic, June 22-26, 20092009 / p. 154 Comparison of uncertainty relations in quantum mechanics and signal processing [Electronic resource]Udal, Andres; Kukk, Vello; Velmre, Enn; Klopov, Mihhail11th International Conference on Squeezed States and Uncertainty Relations and 4th Feynman Festival : Olomouc, Czech Republic, June 22-26, 2009 : conference proceedings2009 / [16] p. [DVD] Computer-aided analysis of the GTO thyristor current squeezing effectVelmre, Enn; Udal, AndresAutomation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 159-171: ill Corrected accounting of electron-hole scattering in cross-term current equations for Si and SiCVelmre, Enn; Udal, Andres18th Nordic Semiconductor Meeting, Linköping, June 7-10, 1998 : abstracts1998 / p. F-88: ill Corrected accounting of electron-hole scattering in cross-term current equations for Si and SiCVelmre, Enn; Udal, AndresPhysica scripta1999 / Proceedings of 18th Nordic Semiconductor Meeting, Linköping, Sweden, June 7-10, 1998, ISBN 91-87308-71-1, p. 193-197: ill https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/1999PhST...79..193V/abstract Critical analysis of uncertainty relations based on signal duration and spectrum widthUdal, Andres; Kukk, Vello; Velmre, EnnElektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering2009 / 6, p. 31-34 : ill Department of ElectronicsMin, Mart; Parve, Toomas; Laansoo, Ants; Männama, Vello; Velmre, Enn; Udal, AndresResearch activities / Tallinn Technical University1993 / p. 79-81 https://www.ester.ee/record=b1053754*est Development and optimisation of modelling methods and algorithms for terahertz range radiation sources based on quantum well heterostructures = Kvantaukudega heterostruktuuridel põhinevate terahertskiirgurite modelleerimismeetodite ja -algoritmide arendus ja optimeerimineReeder, Reeno2014 https://www.ester.ee/record=b3084247*est Development of numerical semiconductor device models and their application in device theory and designUdal, Andres1998 http://www.ester.ee/record=b1158907*est Development of quantum cascade laser simulation softwareUdal, Andres; Reeder, Reeno; Ikonic, Zoran; Harrison, Paul; Velmre, EnnBEC 2012 : 2012 13th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 13th Biennial Baltic Electronics Conference : October 3-5, 2012, Tallinn, Estonia2012 / p. 47-48 : ill Discussion of the development aspects of the quantum cascadelaser simulation softwareReeder, Reeno; Udal, Andres; Velmre, EnnInternational Conference on THz and Mid Infrared Radiation and Applications to Cancer Detection Using Laser Imaging : workgroup meetings of Cost Actions MP1204 and BM1205 : October 10-11, 2013, Sheffiled Hallam University, United Kingdom2013 / p. [36] Eesti kingitus maailma füüsikale : 9. aprillil möödus 237 aastat Thomas Johann Seebecki sünnist Tallinnas : [intervjuu prof. Enn Velmre ja prof. Mart Min'iga]Velmre, Enn; Min, Mart; Ummelas, MartMente et Manu2007 / 18. apr., lk. 3 : ill https://www.ester.ee/record=b1242496*est Efficiency estimation for a broadband 7 THz radiation source with GaAs/AlGaAs parabolic quantum wellsReeder, Reeno; Ikonic, Zoran; Harrison, Paul; Udal, Andres; Velmre, EnnThe proceedings of the Ninth International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells : Ambleside, Cumbria, U.K., 9-14th September 20072007 / p. P67-2 Electrothermal simulation of power semiconductor devicesFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresProceedings of the 1991 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling, 26-27 May, 1991, Oiso, Kanagava, Japan1991 / p. 28-29 Electro-thermal simulations and forward surge current failure prediction for SiC diodesVelmre, Enn; Udal, AndresProgram of 17th Nordic Semiconductor Meeting, Trondheim, Norwey, June 17-20, 19961996 / p. 28 Elektroonika desintegratsioonVelmre, EnnTallinna Tehnikaülikooli aastaraamat 20022003 / lk. 33-38 Failure prediction of power devices under reverse surge current conditionsFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresProc. of the 4th International Symposium on Power Semiconductor Devices May 1992 Waseda University1992 / p. 118-128: fig 40 years of Electronics Department at Tallinn Technical UniversityTamm, Uljas; Velmre, EnnBEC 2002 : proceedings of the 8th Biennial Baltic Electronics Conference : October 6-9, 2002, Tallinn, Estonia2002 / p. 7-10 GIGA - power semiconductor devices simulation softwareFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresThe Bug Exterminator (USA). Special issue, Santa Clara1990 / Dec., p. 1-16: fig High phonon-drag thermoelectric efficiency of SiC at low temperaturesVelmre, Enn; Udal, Andres; Grivickas, V.Final program of the 10th International Conference on SiC and Related Materials : ICSCRM'2003 : Lyon, France, Oct. 5-10, 20032003 / p. ThP4-13 Impact of phonon drag effect on seebeck coefficient in p-6H-SiC : experiment and simulationBikbajevas, V.; Velmre, Enn; Udal, AndresMaterial science forum2003 / p. 407-410 Impact of phonon-drag effect on seebeck coefficient in SiC : experiment and simulationBikbajevas, V.; Grivickas, V.; Stölzer, M.; Velmre, Enn; Udal, AndresAbstracts of the Lithuanian National Physics Conference : LNPK-34 : Vilnius, 20032003 / p. 219 Influence of excitonic scattering on charge carrier ambipolar diffusion in siliconUdal, Andres; Velmre, EnnESSDERC'97 : proceedings of the 27th European Solid-State Device Research Conference, Stuttgart, Germany, 22-24 September 19971997 / p. 212-215: ill Infotehnoloogia teaduskondGordon, Boris; Velmre, Enn; Einer, Lauri; Tamm, Uljas; Meister, Ants; Korsen, Viljo; Märtens, Olev; Parve, Toomas; Ubar, Raimund-Johannes; Min, MartLeiutajaid ja leiutisi Tallinna Tehnikaülikoolis 1922-20072008 / lk. 34-47 : ill https://www.ester.ee/record=b2412718*est Investigation of charge carrier lifetime temperature-dependence in 4H-SiC diodesVelmre, Enn; Udal, AndresSilicon carbide and related materials 20062007 / p. 375-378 https://www.researchgate.net/publication/250348987_Investigation_of_Charge_Carrier_Lifetime_Temperature-Dependence_in_4H-SiC_Diodes Investigation of silicon carbide diode structures via numerical simulations including anisotropic effectsVelmre, Enn; Udal, Andres; Masszi, F.; Nordlander, E.Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 61995 / p. 340-343: ill Jaapani professor esines Tallinna Tehnikaülikoolis : [Tohoku Ülikooli biomeditsiinielektroonika labori juhataja Nozomu Hoshimiya]Min, Mart; Velmre, EnnMente et Manu2001 / lk. 3 : portr https://www.ester.ee/record=b1242496*est Jõupooljuhtseadiste numbrilise modelleerimise alased tööd TPI-sVelmre, EnnKõrgema tehnilise hariduse ja tehnilise mõtte areng Eestis1988 / lk. 128-143 Jõupooljuhtseadiste numbriliste mudelite väljatöötamine ja rakendamine : ainevaldkond : elektrotehnika : magistritööUdal, Andres1992 http://www.ester.ee/record=b2630327*est Kui vana on elektroonika?Velmre, EnnElektroonika 2004 : XI rahvusvahelise telekommunikatsioonipäeva materjalid2004 / lk. 53-56 Kui vana on elektroonika? : ettekanne rahvusvahelise telekommunikatsioonipäeva konverentsil "Elektroonika 2004" 14. mail 2004 TTÜsVelmre, EnnTallinna Tehnikaülikooli aastaraamat 20042005 / lk. 291-296 Kuulsa füüsiku mälestusmärk TTÜ linnakus : [Thomas Johann Seebecki mälestusmärgi avamine 24. mail]Velmre, EnnMente et Manu2013 / lk. 18 : fot https://www.ester.ee/record=b1242496*est Kõrgema tehnilise hariduse ja tehnilise mõtte areng EestisKulbach, Valdek; Hinrikus, Hiie; Järvik, Jaan; Kanasaar, Eduard; Kilk, Aleksander; Metusala, Tiit; Mägi, Vahur; Tamm, Uljas; Tapupere, Olev; Tiismus, Hugo; Ubar, Raimund-Johannes; Velmre, Enn1988 https://www.ester.ee/record=b1243393*est Laterally pumped GaAs/AlGaAs quantum wells as sources of broadband tetrahertz radiationReeder, Reeno; Ikonic, Zoran; Harrison, Paul; Udal, Andres; Velmre, EnnJournal of applied physics2007 / 7, [6] p. : ill https://pubs.aip.org/aip/jap/article/102/7/073715/987937/Laterally-pumped-GaAs-AlGaAs-quantum-wells-as Measurement of charge carrier lifetime temperature-dependence in 4H-SiC power diodesUdal, Andres; Velmre, EnnProceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99) : Research Triangle Park, North-Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999. Vol. 12000 / p. 781-784 https://www.scientific.net/MSF.338-342.781 Measurements of charge carrier lifetime temperature dependence in 4H-SiC power diodesVelmre, Enn; Udal, AndresAbstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials : ICSCRM'99 : October 10-15, 1999, Research Triangle Park, North-Carolina, USA1999 / paper no 394, 2 p Modeling and simulation of bipolar semiconductor devices : authors's main publicationsVelmre, Enn1996 http://www.ester.ee/record=b2079366*est Modeling in semiconductor electronicsVelmre, Enn; Rang, ToomasBEC : Baltic Electronics Conference : proceedings of the 4th Biennial Conference, October 9-14, 1994, Tallinn (Estonia). 21994 / p. 501-516: ill Modeling in semiconductor electronicsJavor, A.; Rang, Toomas; Szekely, V.; Tarnay, K.; Velmre, Enn1993 https://www.ester.ee/record=b1031052*est Modeling of a carbon nanotube junction with ab-inito software VASPVelmre, Enn; Klopov, Mihhail; Udal, AndresBEC 2008 : 2008 International Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 11th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology : October 6-8, 2008, Tallinn, Estonia2008 / p. 75-78 : ill Modeling of charge carrier non-isothermal transport parameters in siliconVelmre, Enn; Udal, AndresBEC'98 : the 6th Biennial Conference on Electronics and Microsystems Technology, October 7-9, 1998, Tallinn, Estonia : proceedings1998 / p. 71-74: ill Modeling of lattice heat conductivity and thermopower in SiC considering the four-phonon scattering processesVelmre, Enn; Udal, AndresMaterial science forum2003 / p. 391-394 Modeling of photon recycling in GaN-devicesVelmre, Enn; Udal, Andres; Klopov, MihhailMaterial Science Forum. 483/4852005 / p. 1039-1042 Modeling of photon recycling in GaN-devicesVelmre, Enn; Udal, Andres; Klopov, Mihhail5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : book of abstracts : 31 August-4 September 2004, Bologna, Italy2004 / p. 317-318 Modeling of photon recycling in GaN-devicesVelmre, Enn; Udal, Andres; Klopov, MihhailSilicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31-September 4, 2004, Bologna, Italy2005 / p. 1039-1042 : ill Modelling of charge carrier non-isothermal transport in silicon and silicon carbideVelmre, Enn; Udal, AndresProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2000 / 2, p. 144-154 : ill Nanotehnoloogiad : sõnastik. Osa 1, Tuumik-sõnavara = Nanotechnologies : vocabulary. Part 1, Core terms2011 https://www.ester.ee/record=b2707940*est Nanotehnoloogiad : sõnastik. Osa 3, Süsinik-nanoobjektid = Nanotechnologies : vocabulary. Part 3, Carbon nano-objects2011 https://www.ester.ee/record=b2707947*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 1, Tuumik-sõnavara = Nanotechnologies : vocabulary. Part 1, Core terms (ISO/TS 80004-1:2010)2015 http://www.ester.ee/record=b4454097*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 1, Tuumik-sõnavara = Nanotechnologies : vocabulary. Part 1, Core terms (ISO/TS 80004-1:2015)2016 http://www.ester.ee/record=b4601747*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 3, Süsinik-nanoobjektid = Nanotechnologies : vocabulary. Part 3, Carbon nano-objects (ISO/TS 80004-3:2010)2015 http://www.ester.ee/record=b4454176*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 4, Nanostruktuur-materjalid = Nanotechnologies : vocabulary. Part 4, Nanostructured materials (ISO/TS 80004-4:2011)2015 http://www.ester.ee/record=b4454176*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 6, Nanoobjektide karakteriseerimine = Nanotechnologies : vocabulary. Part 6, Nano-object characterization (ISO/TS 80004-6:2013)2015 http://www.ester.ee/record=b4483533*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 6, Nanoobjektide karakteriseerimine = Nanotechnologies : vocabulary. Part 6, Nano-object characterization (ISO/TS 80004-6:2013)2015 http://www.ester.ee/record=b4457416*est Nanotehnoloogiad [Võrguteavik] : sõnastik. Osa 8, Nanotootmisprotsessid = Nanotechnologies : vocabulary. Part 8, Nanomanufacturing processes (ISO/TS 80004-8:2013)2015 http://www.ester.ee/record=b4531230*est Nanotehnoloogiat meilt ja mujaltVelmre, EnnElektriala2005 / 6, lk. 22-24 : ill Nonisothermal numerical simulation of semiconductor power devicesVelmre, Enn; Udal, AndresAutomation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / p. 139-145: ill Numerical analysis of forward-biased diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisElectronics letters : an international publication1979 / p. 383-385 https://www.ester.ee/record=b2180432*est Numerical analysis of the on state of diode structures based on direct-gap semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresPhysica scripta : an international journal for experimental and theoretical physics1981 / p. 468-471 https://www.ester.ee/record=b2244094*est Numerical aspects of the development of quantum cascade laser simulation softwareReeder, Reeno; Udal, Andres; Velmre, Enn; Valavanis, AlexanderBEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia2014 / p. 37-40 : ill Numerical investigation of digitised parabolic quantum wells for terahertz AIGaAs/GaAs structuresReeder, Reeno; Udal, Andres; Velmre, Enn; Harrison, PaulBEC 2006 : 2006 International Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 2-4, 2006, Tallinn, Estonia : proceedings of the 10th Biennial Baltic Electronics Conference2006 / p. 51-54 : ill Numerical investigation of SiC devices performance considering the incomplecte dopant ionizationVelmre, Enn; Udal, AndresSilicon carbide and related materials 20052006 / p. 1383-1386 https://www.scientific.net/MSF.527-529.1383 Numerical modeling of the electrothermal transient process in diode structures based on direct-cap-semiconductorsVelmre, Enn; Freidin, BorisPhysica status solidi. A, Applied research1983 / p. K131-K134 https://www.ester.ee/record=b1562026*est Numerical simulation of a forward-based p-i-n structure with band-to-band Auger recombinationFreidin, Boris; Velmre, EnnElectronics letters : an international publication1978 / p. 701-703 https://www.ester.ee/record=b2180432*est Numerical simulation of a silicon carbide diodeVelmre, Enn; Udal, AndresBEC : Baltic Electronics Conference : proceedings of the 4th Biennial Conference, October 9-14, 1994, Tallinn (Estonia). 21994 / p. 559-566: ill Numerical simulation of electrothermal effects in ESD protection devicesHellstrom, S.; Freidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresTechn. Dig. of the 3rd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 1992, Oct. 5-8, Schwabisch Gmünd, Germany1992 Numerical simulation of electrothermal interactions in semiconductors under electrostatic energy pulse conditionsFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresTechn. Dig. of International Workshop on Computational Electronics, 1992 May 28-29, Beckman Institute, Univ.of Illinois at Urbana Champain, USA1992 Pooljuhid läbi aegadeVelmre, EnnHorisont1974 / lk. 15-19 : ill.; 7 lk. 26-28 : ill.; 9 lk. 24-27 https://www.digar.ee/arhiiv/et/perioodika/69737 https://www.digar.ee/arhiiv/et/perioodika/69744 https://www.ester.ee/record=b1072243*est https://www.digar.ee/arhiiv/et/perioodika/69745 Power diode transicent characteristics modeling in inductive load circuitsFreidin, Boris; Velmre, Enn; Udal, AndresThe Bug Exterminator (USA)1991 / 3, p. 1-5: fig Quantum mechanical transforms between [hii]- and [kapa]-space as a signal processing problemUdal, Andres; Kukk, Vello; Velmre, Enn; Klopov, MihhailBEC 2008 : 2008 International Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 11th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology : October 6-8, 2008, Tallinn, Estonia2008 / p. 71-74 : ill Raamatu tekkeloostVelmre, EnnElektriala2022 / lk. 27 https://www.ester.ee/record=b1240496*est SaateksVelmre, EnnTallinna kaupmehepojast füüsikaklassikuks : Thomas Johann Seebeck 1770-18312022 / lk. 13-17 https://www.ester.ee/record=b5519213*est SiC-diode forward surge current failure mechanisms : experiment and simulationVelmre, Enn; Udal, AndresESREF'97 : proceedings of the 8th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Oct. 7-10, 1997, Bordeaux, France1997 / p. 1671-1674 SiC-diodes forward surge current failure mechanisms : experiment and simulationUdal, Andres; Velmre, EnnMicroelectronics and reliability1997 / 10/11, p. 1671-1674 Study of radiative recombination influence in GaN and GaAs bipolar transistor structuresVelmre, Enn; Udal, Andres; Verbitski, IrinaBEC 2004 : proceedings of the 9th Biennial Baltic Electronics Conference : October 3-6, 2004, Tallinn, Estonia2004 / p. 59-62 : ill Tallinna kaupmehe pojast füüsikaklassikuks. Thomas Johann Seebeck (1770-1831)Velmre, EnnVana Tallinn. XXIII (XXVII)2012 / lk. 274-286 : ill Tallinna kaupmehepojast füüsikaklassikuks : Thomas Johann Seebeck 1770-1831Velmre, Enn2022 https://www.ester.ee/record=b5519213*est TEA entsüklopeedia2011 https://www.ester.ee/record=b2666688*est TEA entsüklopeedia2011 https://www.ester.ee/record=b2712813*est TEA entsüklopeedia2012 https://www.ester.ee/record=b2869027*est Termoelektri avastaja Thomas Johann Seebeck : [ettekanne rahvusvahelisel seminaril 11. mail 2007 TTÜs]Velmre, EnnTallinna Tehnikaülikooli aastaraamat 20072008 / lk. 335-339 The experimental results of reverse recovery effects in power fastrecovery diodes analyzed by numerical modelVelmre, Enn; Udal, Andres; Vaher, G.T.; Tarma, MatiProceedings International AEGEAN Conference on Electrical Machines and Power Electronics, Kusadasi 27-29 May, 19921992 / p. 738-743: fig Thermopower measurements in 4H-SiC and Theoretical calculations considering the phonon drag effectGrivickas, V.; Stölzer, M.; Velmre, Enn; Udal, Andres; Grivickas, P.; Syväjärvi, M.; Yakimova, R.; Bikbajevas, V.Abstracts of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : ECSCRM'2000 : Sept. 3-7, 2000, Kloster Banz, Germany2000 / p. 144 Thermopower measurements in 4H-SiC and theoretical calculations considering the phonon drag effectGrivickas, V.; Stölzer, M.; Velmre, Enn; Udal, Andres; Grivickas, P.; Syväjärvi, M.; Yakimova, R.; Bikbajevas, V.Silicon Carbide and Related Materials : ECSCRM2000 : proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : Kloster Banz, Germany, September 20002001 / p. 491-494 : ill Thomas J. Seebeck 250 : tänased mikro- ja nanoelektroonika lahendused toetuvad tuntumaile Eestis sündinud täppisteadlaseleHärmat, KarinMente et Manu2020 / lk. 64-65 : ill https://www.ttu.ee/public/m/mente-et-manu/MM_01_2020/mobile/index.html https://www.ester.ee/record=b1242496*est Thomas J. Seebeck 250 : tänased mikro- ja nanoelektroonika lahendused toetuvad tuntumaile Eestis sündinud täppisteadlaseleHärmat, KarinElektriala2020 / lk. 24-25 http://www.ester.ee/record=b1240496*est Thomas Johann Seebeck (1770-1831)Velmre, EnnProceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering2007 / 4, p. 276-282 Thomas Johann Seebeck (1770-1831)2007 http://www.ester.ee/record=b2285820*est Thomas Johann Seebeck and his contribution to the modern science and technologyVelmre, EnnBEC 2010 : 2010 12th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 12th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 4-6, 2010, Tallinn, Estonia2010 / p. 17-24 : ill Thomas Johann Seebeck ja tema panus tänapäeva teadusesse ja tehnikasseVelmre, EnnElektriala2019 / lk. 28-29 : ill; 4, lk. 28-29 : ill; 5, lk. 26-27 : fot http://www.ester.ee/record=b1240496*est Tunne kolleegi. Enn Velmre : [intervjuu Enn Velmrega]Velmre, Enn; Rang, Toomas; Haldre, Eero; Oras, Anne; Min, MartAvaja2003 / lk. 3 : fot Two-dimensional surge current modeling of packaged power devicesUdal, Andres; Freidin, Boris; Velmre, EnnThe Bug Exterminator : a monthly publication of Silvaco International1992 / 12, p. 6-7 Tööstuselektroonika eriala üliõpilaste ankeetvaatluse tulemustestVelmre, EnnÕppemetoodika küsimusi ; 131976 / lk. 72-74 https://www.ester.ee/record=b1346720*est Uuringuid jõupooljuhtelektroonika seadiste ja seadmete alaltVelmre, EnnTehnikauuringute areng Eesti NSV-s : vabariikliku konverentsi ettekannete teesid Tallinn, 15.-16. oktoober 19861986 / lk. 129-132 https://www.ester.ee/record=b1258828*est Аналитико-численная модель для исследования стационарного непроводящего состояния силовых тиристоровVelmre, Enn; Rang, ToomasРасчет и проектирование измерительных преобразователей1983 / с. 57-67 Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Гармоническая линеаризация широтно-импульсного модулятора второго родаVelmre, EnnТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 111973 / с. 135-143 : илл https://www.ester.ee/record=b2190624*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/d6e57925-e104-44e1-a218-c5b3110d9996 Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнииRang, Toomas; Velmre, EnnАнализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП1977 / с. 115-120 Измерение коэффициентов ударной ионизации в рп-переходах при очень низкой интенсивности размноженияVelmre, Enn; Pikkov, MihhailМашинное проектирование электронных устройств и систем1989 / с. 3-19 Использование четырехзондового метода для измерения различных параметров полупроводникового материалаSamolevski, B.; Korpen, J.; Velmre, EnnXX студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтийских республик, Белорусской ССР и Молдавской ССР : тезисы докладов. Часть 11974 / с. 117 https://www.ester.ee/record=b1306141*est Исследование лавинного пробоя p-n переходаRang, G.; Velmre, EnnXX студенческая научно-техническая конференция вузов Прибалтийских республик, Белорусской ССР и Молдавской ССР : тезисы докладов. Часть 11974 / с. 118 https://www.ester.ee/record=b1306141*est Исследование процесса переключения диодных структур низковольтных диодов с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Lumi, J.; Tarma, Mati; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 13-17 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ВАХ мощных диодов с узкой базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Tarma, MatiПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 9-12 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ветви вольтамперной характеристики эпитаксиальных и диффузионных электросварочных диодовVaher, G.; Velmre, Enn; Mäe, T.; Freidin, BorisСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 7-15 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Исследование устойчивости установившегося режима в системе с широтно-импульсной модуляцией второго родаVelmre, EnnТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 121974 / с. 51-62 : илл https://www.ester.ee/record=b2190668*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/57b94a1f-6879-4443-b6f2-322fd7e53d89 Исследование эффективности численных алгоритмов моделирования силовых полупроводниковых структур в проводящем состоянииVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisЭлектронное моделирование = Electronic modeling : международный научно-теоретический журнал1981 / c. 85-88 https://www.ester.ee/record=b1291241*est К вопросу об эффективной длине диффузии носителей заряда в условиях перепоглощения рекомбинационного излученияVelmre, EnnТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 32-33 https://www.ester.ee/record=b1310801*est К расчету максимального напряжения переключения p-n-p-n-структурыVelmre, Enn; Rang, ToomasАнализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП1977 / с. 121-126 К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходахVaher, G.; Velmre, EnnПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 89-96 https://www.ester.ee/record=b1273235*est К расчету отпирающего тока управления p-n-p-n-структурыNurste, Ivar; Velmre, EnnАнализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП1977 / с. 127-133 Лавинное размножение носителей в кремниевых арсенид-галлиевых и фосфидиндиевых дополнительных PN-переходахRang, Toomas; Velmre, EnnРасчет и проектирование систем технической кибернетики1984 / с. 3-13 Лавинное размножение носителей заряда в дополнительных р-п-переходахVelmre, EnnРасчет и проектирование приборов, устройств и систем технической кибернетики1981 / с. 3-14 Моделирование технологического процесса кремниевых силовых полупроводниковых приборов на ЭВМRang, Toomas; Velmre, EnnСинтез и диагностика цифровых устройств и систем1982 / с. 107-112 Неизотермическая динамическая прямая ветвь вольт-амперной характеристики силовых арсенид-галлиевых диодовAškinazi, German; Velmre, Enn; Logussov, A.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1984 / с. 48-56 https://www.ester.ee/record=b1264310*est О влиянии оже-рекомбинации на прямую ветвь вольтамперной характеристики силового полупроводникого диодаVelmre, Enn; Dorodnev, V.Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 131975 / с. 85-91 : илл https://www.ester.ee/record=b2190710*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/ffbd63ed-06d6-4bbb-9468-118f743cc87f О влиянии электронно-упрочного рассеяния на коэффициент передачи лико микроэлектронного биполярного транзистораVelmre, Enn; Udal, AndresМатематическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : тезисы докладов II всесоюзного совещания (г. Ярославль, сентябрь 1988 г.)1988 / с. 40 О развитии научно-исследовательского направления "Приборы и устройства силовой полупроводниковой электроники"Velmre, EnnРазвитие научных исследований в области технических наук в Эстонской ССР : тезисы республиканской конференции, Таллин, 15-16 октября 1986 г.1986 / с. 136-139 https://www.ester.ee/record=b1231513*est Обобщенные формулы для анализа лавинного умножения носителей заряда в pn-переходахVelmre, EnnAutomation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University1992 / с. 172-183: ил Определение параметров рекомбинационных центров из измерений волть-амперных характеристик p-n-переходаVelmre, EnnТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной 80-летию со дня изобретения радио А. С. Поповым1975 / с. 8 https://www.ester.ee/record=b1322122*est Приближенный метод исследования переноса неравновесных носителей заряда в варизонных полупроводниках с учетом перепоглощения рекомбинационного излученияVelmre, EnnПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 12-14 https://www.ester.ee/record=b1262177*est Приближенный расчет коэффициента переноса носителей заряда в условиях перепоглощения межзонного рекомбинационного излученияVelmre, EnnEesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1984 / lk. 87-94 https://www.ester.ee/record=b1264310*est Применение интерполяционных кубических сплайнов при решении уравнения диффузии с учетом перепоглощения межзонного рекомбинационного излученияVelmre, EnnРасчет и проектирование измерительных преобразователей1983 / с. 51-55 Применение численных моделей для усовершенствования технологии производства силовых полупроводниковых приборовVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisСистемы автоматизированного проектирования изделий микроэлектроники, новые методы и технологии микроминиатюрных элементов : Сборник докладов постоянно действующего семинара "Современная технология производства приборов, средств автоматизации и систем управления"1981 / с. 51-56 Применение численных моделей при разработке полупроводниковых приборов и технологии их изготовленияVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisСистемы автоматизированного проектирования изделий микроэлектроники, новые методы и технологии микроминиатюрных элементов : Сборник докладов постоянно действующего семинара "Современная технология производства приборов, средств автоматизации и систем управления"1981 / с. 51-56 Прогнозирование величины ударного тока при одномерном численном моделировании силовых полупроводниковых структурVelmre, Enn; Nurste, IvarЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов твердотельной электроники : тезисы докладов республиканского совещания. Том I = Tahkekeha elektroonika elementide projekteerimise ja katsetamise numbrilised meetodid ja vahendid : Vabariikliku nõupidamise ettekannete teesid. Köide I1989 / с. 157-160 : ил https://www.ester.ee/record=b1272248*est Программа "Динамит-1" для одномерного численного моделирования тиристорных структурVelmre, Enn; Udal, AndresСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 59-63 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est Расчет коэффициента лавинного умножения резких кремниевых р-п-переходовVelmre, EnnActa polytechnica. řada 4, Technicko-teoreticka = Acta polytechnica. serija 4, Teoretičeskaja = Acta polytechnica. series 4, Theoretical studies = Acta polytechnica. Reihe 4, Theoretische Reihe = Acta polytechnica. série 4, Théorique1975 / с. 117-122 Расчет коэффициента переноса неосновных носителей заряда в условиях перепоглощения межзонного рекомбинационного излученияVelmre, EnnПолупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 25 https://www.ester.ee/record=b1304403*est Расчет коэффициентов лавинного размножения в резких кремниевых р-п переходахVaher, G.; Velmre, EnnТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Таллин, 19771977 / с. 49 https://www.ester.ee/record=b1313776*est Расчет показателя степени в формуле МиллераVelmre, EnnТруды по электротехнике и автоматике : сборник статей. 111973 / с. 145-154 : илл https://www.ester.ee/record=b2190624*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/d6e57925-e104-44e1-a218-c5b3110d9996 Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InPVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 30-31 https://www.ester.ee/record=b1310801*est Труды по электротехнике и автоматике : сборник статейKukk, Vello; Plakk, Mari; Ubar, Raimund-Johannes; Kitsnik, Peeter; Viilup, Agu; Lohuaru, Tõnu; Jänes, Mart; Leis, Paul; Maran, Mihkel; Jõers, Rein; Min, Mart; Parve, Toomas; Korsen, Viljo; Remmel, Ülo; Rang, Toomas; Velmre, Enn; Nurste, Ivar; Bachverk, Aleksander; Kiitam, Andres1977 https://www.ester.ee/record=b2190987*est Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структурVelmre, EnnМашинное проектирование электронных устройств и систем1988 / с. 166-174 Численное моделирование напряженности электрического поля и напряжения пробоя в полупроводниковой структуре с двойной фаскойVelmre, Enn; Kuusik, E.; Tergem, IlmarСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 50-58 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Численное моделирование неизотермических переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1984 / с. 86-88 https://www.ester.ee/record=b2768571*est Численное моделирование неизотермических переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах при большой плотности прямого токаVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1989 / с. 80-82 https://www.ester.ee/record=b2768571*est Численное моделирование неизотермических переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах при воздействии мощного импульса прямого токаVelmre, Enn; Freidin, BorisЭлектронное моделирование = Electronic modeling : международный научно-теоретический журнал1983 / с . 73-76 https://www.ester.ee/record=b1291241*est Численное моделирование переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1983 / с. 93-95 https://www.ester.ee/record=b2768571*est Численное моделирование процесса выключения одномерных кремниевых тиристорных структурVelmre, Enn; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 74-79 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Численное моделирование процессов в полупроводниковых структурах с учетом рекомбинации через многозарядные центрыVelmre, Enn; Opštški, A.; Udal, AndresЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов РЭА : тезисы докладов. Том 11987 / с. 131-134 https://www.ester.ee/record=b1273986*est Численное моделирование процессов включения и выключения диодной структуры на основе прямозонного полупроводникаVelmre, Enn; Freidin, BorisСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей1984 / с. 90-94 https://www.ester.ee/record=b1238033*est Численное моделирование силовых полупроводниковых приборовVelmre, EnnИзмерение и моделирование в электронике1987 / с. 49-64 Численное моделирование статических неизотермических процессов в кремниевых силовых диодных и тиристорных структурах в открытом состоянииVelmre, Enn; Udal, Andres; Freidin, BorisВсесоюзный научно-технический семинар "Повышение параметров силовых полупроводниковых приборов на основе новых конструктивных решений и методов изготовления" (Запорожье, 1981)1981 / с.37-38 Численное моделирование температурных распределений в кремниевых силовых полупроводниковых приборах при воздействии мощного импульса прямого токаVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorissПроблемы моделирования полупроводниковых структур и сложных схем на ЭВМ1982 / с. 49-58 Численное моделирование тиристора, управляемого полемVelmre, Enn; Piroženko, AleksanderЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов твердотельной электроники : тезисы докладов республиканского совещания. Том I = Tahkekeha elektroonika elementide projekteerimise ja katsetamise numbrilised meetodid ja vahendid : Vabariikliku nõupidamise ettekannete teesid. Köide I1989 / с. 153-156 : ил https://www.ester.ee/record=b1272248*est Численное моделирование ударного режима кремниевых тиристоровVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorissИзмерение и моделирование в электронике1987 / с. 78-88 Численное моделирование ударного режима силовых полупроводниковых приборов с учетом электронно-дырочного рассеянияVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisЧисленные методы и средства проектирования и испытания элементов РЭА : тезисы докладов. Том 11987 / с. 143-145 : ил https://www.ester.ee/record=b1273986*est Численное моделирование физических процессов в одномерных кремниевых диодных структурах в стационарном режимеVelmre, Enn; Freidin, Boris; Udal, AndresАлгоритмы и программы : информационный бюллетень1980 / с.? Численное моделирование физических процессов в прямосмещенных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 25-31 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Численное моделирование эксперимента Шокли-ХейнсаVelmre, Enn; Udal, AndresСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1986 / с. 49-53 : ил https://www.ester.ee/record=b1591355*est Численное моделирование электротепловых процессов в силовых полупроводниковых приборах с учетом электронно-дырочного рассеянияVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Seleninov, Kazimir; Freidin, BorisСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 185-188 https://www.ester.ee/record=b1264433*est Численное моделирование электрофизических процессов в полупроводниках с учетон электронно-дырочного рассеянияVelmre, Enn; Piroženko, Aleksander; Udal, AndresЭлектронное моделирование = Electronic modeling : международный научно-теоретический журнал1985 / с. 66-71 https://www.ester.ee/record=b1291241*est Численный анализ неизотермических переходных процессов в арсенидгаллиевых диодных структурахAškinazi, German; Velmre, Enn; Kivi, U.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Полупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 15 https://www.ester.ee/record=b1304403*est Численный анализ одномерных полупроводниковых структур в стационарном режимеVelmre, Enn; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции, посвященной дню радио и деятельности Эстонской организации НТОРЭС им. А. С. Попова за годы 1958-19781978 / с.? https://www.ester.ee/record=b1314631*est Численный анализ переходных процессов в диодных структурах на основе прямозонных полупроводниковVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 26 https://www.ester.ee/record=b1304403*est Численный расчет диода с точным учётом электронно-дырочного рассеянияVelmre, Enn; Udal, AndresСиловые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей1984 / с. 39-43 https://www.ester.ee/record=b1238033*est Электротехника и автоматикаLaansoo, Ants; Velmre, Enn; Rang, Toomas; Freidin, Boris; Rubinštein, M.J.; Männama, Vello; Järvalt, Aldur; Bachverk, Aleksander; Rähmi, S.; Tamm, Uljas; Plakk, Mari; Logunov, Gennadi; Tagger, Jüri; Kalm, Evald; Koik, P.; Aarna, Olav1981 https://www.ester.ee/record=b1319172*est Электротехника и автоматикаKukk, Vello; Voolaine, Andrus; Jõgi, Aksel; Pall, Martin; Ubar, Raimund-Johannes; Kitsnik, Peeter; Toomsalu, Arvo; Grigorjeva, Ksenja; Lohuaru, Tõnu; Evartson, Teet; Božitš, V.I.; Galujev, G.A.; Sudnitsõn, Aleksander; Berkman, Boriss; Rang, Toomas; Velmre, Enn1982 https://www.ester.ee/record=b1328194*est Электротехника и автоматикаTamm, Uljas; Udal, Andres; Rang, Toomas; Freidin, Boris; Velmre, Enn; Nurste, Ivar; Laansoo, Ants; Männama, Vello; Järvalt, Aldur; Gurjanov, Boris; Pikkov, Otto; Rebane, Jüri; Aarna, Olav; Teder, Toomas1982 https://www.ester.ee/record=b1339926*est Электротехника и автоматикаLaansoo, Ants; Väljamäe, Gunnar; Tilk, Johan; Uutma, Toomas; Peterson, Jaak; Parve, Toomas; Logunov, Gennadi; Gurjanov, Boris; Gordon, Boris; Rüstern, Ennu; Velmre, Enn; Rang, Toomas; Kõverik, Kait; Järvalt, Aldur; Sildaru, Kalev1983 https://www.ester.ee/record=b1288985*est Электротехника и автоматикаUbar, Raimund-Johannes; Rang, Toomas; Velmre, Enn; Evartson, Teet; Voolaine, A.; Toome, Tõnis; Viilup, Agu; Sudnitsõn, Aleksander; Berkman, Boriss; Rüstern, Ennu; Leis, Paul; Keevallik, Andres; Kruus, Margus; Jüris, A.1984 https://www.ester.ee/record=b1549179*est Электротехника и автоматикаKukk, Vello; Tamm, Uljas; Pikkov, Otto; Min, Mart; Velmre, Enn; Udal, Andres; Nurste, Ivar; Freidin, Boris; Rang, Toomas; Opotski, Aleksei; Laansoo, Ants; Männama, Vello; Järvalt, Aldur; Gurjanov, Boris; Lavrov, Mihhail; Belkina, I.I.; Plakk, Paul; Plakk, Peeter; Plakk, T.1987 https://www.ester.ee/record=b1224910*est Электротехника и автоматикаRüstern, Ennu; Keevallik, Andres; Kruus, Margus; Salum, Kaja; Berkman, Boriss; Tammemäe, Kalle; Alango, Villem; Kont, Toomas; Ubar, Raimund-Johannes; Lohuaru, Tõnu; Štraube, B.; Elst, G.; Bombik, B.; Viies, Vladimir; Gallai, S.; Rang, Toomas; Laansoo, Ants; Männama, Vello; Pikkov, Otto; Gurjanov, Boris; Opotski, Aleksei; Velmre, Enn1988 https://www.ester.ee/record=b1256708*est Электротехника и автоматикаMägi, Harri; Velmre, Enn; Pikkov, Mihhail; Orro, S.; Rang, Toomas; Gurjanov, Boris; Kruus, Margus; Salum, Kaja; Berkman, Boriss; Keevallik, Andres; Kasirova, Lilia; Kruus, Margus; Ellervee, Peeter; Ubar, Raimund-Johannes; Grigorjeva, Ksenja; Kont, Toomas1989 https://www.ester.ee/record=b1285446*est