Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопииIvanov, Pavel; Potapov, Alexander; Samsonova, Tatyana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, NataljaФизика и техника полупроводников2011 / с. 1358-1362 : ил

Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронамиKorolkov, Oleg; Kozlovski, Vitali; Lebedev, Alexander; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, Jana; Rang, ToomasФизика и техника полупроводников2019 / с. 991-994 https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089

О природе 0,8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмияKrustok, Jüri; Lõo, Anu; Piibe, ToomasФизика и техника полупроводников1990 / 10, с. 1888-1891: рис

Особенности температурного поведения полосы 0,81 эВ фотолюминесценции теллурида кадмияKrustok, Jüri; Piibe, Toomas; Лыо А.Э.Физика и техника полупроводников1991 / 7, с. 1257-1259: ил

Свойства поверхности CuInS2 и влияние на них органических слоевVerbitsky, Anatoly; Vertsimakha, Yaroslav; Lutsyk, P.N.; Studzinsky, Sergei; Bereznev, Sergei; Kois, JuliaФизика и техника полупроводников2006 / 2, с. 202-206 : ил