Высокотемпературное равновесие дефектов в ZnSe : InNõges, Märt; Varvas, Jüri; Nirk, Tiit; Kallavus, UrveФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 67-76

Замораживание высокотемпературного состояния дефектов в сильнолегированном селениде кадмияTürn, LeoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 53-58

К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индияGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 105-112

Концентрационная зависимость отдельных подполос спектров фотолюминесценции ZnS : Cu : ClKrustok, Jüri; Mädasson, JaanФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 11-16

Концентрационная зависимость эффективных масс дырок в германииPaat, Aadu; Uder, ÜloФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 95-103

Микрофотопреобразователи на базе многозернистого сульфида кадмияIljina, Natalja; Varema, TiitФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 41-48

Монозернистые слои на основе фотопроводящего сульфида кадмияHiie, Jaan; Mellikov, Enn; Varema, Tiit; Iljina, NataljaФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 3-11

Некоторые вопросы создания регулярных монозернистых слоевIljina, Natalja; Hiie, JaanФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 13-18

О причинах разброса параметров таблеточных фоторезисторов из селенида кадмияAltosaar, Mare; Valdna, VelloФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 19-26

О работе таблеточных фоторезисторов в кремнийорганической жидкостиValdna, VelloФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 27-34

Обработка данных высокотемпературной электропроводимости селенида кадмия на ЭВМTürn, LeoФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 35-40

Образование пленок CdS и CdZnS при химической пульверизации растворовKrunks, Malle; Mellikov, Enn; Karpenko, I.V.Физическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 35-42

Определение равновесия дефектов в легированных бинарных полупроводниковых соединенияхTürn, LeoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 43-51

Оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида кадмия, химически осажденных пульверизациейKerm, Karin; Tilling, Aino; Antsov, U.Физическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 59-65

Поглощение СВЧ-излучения в примесном сульфиде кадмияPalmre, Õie; Mellikov, Enn; Hiie, Jaan; Tuvike, Tiit; Klepikova, N.V.Физическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 59-65

Равновесная структура дефектов в CdSe : AlNirk, Tiit; Öpik, AndresФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 3-9

Растворимость галлия в сульфиде цинкаLott, Kalju; Višnjakov, A.V.; Raukas, MaieФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 17-27

Растворимость индия в сульфиде цинкаLott, Kalju; Višnjakov, A.V.; Raukas, MaieФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 29-33

Структура дефектов в CdSe : AgNirk, Tiit; Öpik, AndresФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 77-85

Структура фазовой диаграммы Zn-Ag-S и растворимость серебра в сульфиде цинкаLott, Kalju; Višnjakov, A.V.; Raukas, Maie; Varvas, JüriФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 87-93

Структурные и оптические свойства химически пульверизованных пленок сульфида кадмияKrunks, Malle; Mellikov, Enn; Sork, Eeve; Vidrevitš, MarinaФизическая химия соединений AIIBVI1984 / с. 49-58