Исследование свойств полипарафениленаRaukas, Maie; Öpik, Andres; Ahven, TarmoФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 13-22

Особенности легирования фоторезисторов из селенида кадмия медью и серебромValdna, Vello; Mädasson, Jaan; Türn, LeoФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 32-39

Подготовка напряженных хрупких образцов полупроводниковых материалов для просвечивающей электронной микроскопииMeiler, BorissФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 44-48

Прибор для индикации уровня электрического сопротивления изоляции разъединенийVeimer, Vladimir; Kurik, LembitФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 55-59

Способ химической пульверизации при изготовлении тонких пленокTürn, Leo; Reiter, ErikФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 40-43

Термодинамика дефектов в CdSe : Cu : InNirk, Tiit; Oja, Alar; Kerm, KarinФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 3-12

Установка для записи вольтамперных и вольтфарадных характеристик р-п-переходовGavrilov, AlekseiФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 49-54

Установка для определения гистерезиса смачиванияVeimer, Vladimir; Kurik, Lembit; Silas, AarneФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 60-64

Электропроводность полипарафенилена, легированного йодомÖpik, Andres; Ahven, TarmoФизическая химия соединений А//II//В//VI//1987 / с. 23-31