Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структурAškinazi, G.; Zolotarevskaja, O.; Meiler, BorissПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1978 / с. 64-66 : илл https://www.ester.ee/record=b1262177*est

Приближенный метод исследования переноса неравновесных носителей заряда в варизонных полупроводниках с учетом перепоглощения рекомбинационного излученияVelmre, EnnПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 12-14 https://www.ester.ee/record=b1262177*est

Рост и морфология толстых слоев арсенида галлия, выращенных жидкофазной эпитаксиейMeiler, Boriss; Zolotarevski, L.; Paat, Aadu; Orenštein, I.Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 24-26 https://www.ester.ee/record=b1262177*est

Фотолюминесценция гетероструктур на основе сульфида кадмияErm, Ants; Krunks, Malle; Piibe, Toomas; Mellikov, EnnПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 41-43 : илл https://www.ester.ee/record=b1262177*est

Фотопреобразователи CdS - CU2S на основе пульверизованных пленокVarema, Tiit; Iljina, Natalja; Krunks, Malle; Terasmaa, P.; Mellikov, Enn; Karpenko, I.V.Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 43-46 : ил https://www.ester.ee/record=b1262177*est