К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индияGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoФизическая химия соединений AIIBVI1981 / с. 105-112

Полупроводниковые материалыPalmre, Õie; Hiie, Jaan; Mellikov, Enn; Varema, Tiit; Iljina, Natalja; Altosaar, Mare; Valdna, Vello; Krunks, Malle; Karpenko, I.V.; Türn, Leo; Kerm, Karin; Tilling, Aino; Antsov, U.; Nõges, M.; Varvas, Jüri; Nirk, Tiit; Kallavus, Urve; Öpik, Andres; Lott, Kalju; Višnjakov, A.V.; Raukas, Maie; Paat, Aadu; Uder, Ülo-Olimar; Gavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, Arvo1981 https://www.ester.ee/record=b1533413*est

Формирование P-слоев при внедрении ионов магния в InSbGavrilov, Aleksei; Danilov, J.V.; Katšurin, G.A.; Mere, ArvoЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1980 / с. 108-112 https://www.ester.ee/record=b2160501*est