Gate and base drivers for silicon carbide power transistors : an overviewPeftitsis, Dimosthenis; Rabkowski, JacekIEEE transactions on power electronics2016 / p. 7194-7213 : ill http://dx.doi.org/10.1109/TPEL.2015.2510425

Экспериментальное исследование трёхуровневого инвертора напряжения с квази-импедансным звеном на входеStepenko, SerhiiЭнергосбережение, энергетика, энергоаудит = Energy saving, power engineering, energy audit2013 / с. 74-83 : ил