Kas ehitada Luunja sild? : lisand meie teede- ning liiklemispoliitika plaanikindlustamiseksVaher, G.ERK1934 / lk. 133-138 : joon Tuletikumonopol : "ratsionaliseerimise" tulemus ühes meie tööstusharus : [A.S. Eesti Tuletikumonopol]Vaher, G.Akadeemia1939 / lk. 131-136 Ultra-fast turn-on medium power thyristorVaher, G.; Udal, Andres; Typpö, J.; Paomets, V.; Sivonen, M.BEC : Baltic Electronics Conference : proceedings of the 4th Biennial Conference, October 9-14, 1994, Tallinn (Estonia). 21994 / p. 567-572: ill Ultra-fast-turn-on medium power double thyristorVaher, G.; Udal, Andres; Sivonen, M.; Paomets, V.ESSDERC'95 : proceedings of the 25th European Solid State Device Research Conference, the Netherlands Congress Centre, the Hague, the Netherlands, 25th-27th September 19951995 / p. 647-650: ill Высоковольтный диод серии В9Vaher, G.; Vergi, U.; Karuks, O.; Kuusik, E.; Krunks, O.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 5-12 https://www.ester.ee/record=b1273235*est Исследование процесса переключения диодных структур низковольтных диодов с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Lumi, J.; Tarma, Mati; Udal, AndresПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 13-17 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ВАХ мощных диодов с узкой базовой областьюVaher, G.; Velmre, Enn; Tarma, MatiПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 9-12 https://www.ester.ee/record=b1356516*est Исследование прямой ветви вольтамперной характеристики эпитаксиальных и диффузионных электросварочных диодовVaher, G.; Velmre, Enn; Mäe, T.; Freidin, BorisСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 7-15 https://www.ester.ee/record=b1264428*est К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходахVaher, G.; Velmre, EnnПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 89-96 https://www.ester.ee/record=b1273235*est Низковольтные диоды на большие токи с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Karuks, O.; Mäe, T.; Tarma, M.; Tarma, MatiСиловые полупроводниковые приборы : сборник статей1981 / с. 23-29 https://www.ester.ee/record=b1264428*est Низковольтный диод для электросварки и гальваники с эпитаксиальной базовой областьюVaher, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 50-62 https://www.ester.ee/record=b1273235*est О возможности улучшения прямой ВАХ высоковольтного диодаVaher, G.; Krunks, O.; Kuusik, E.; Tarma, M.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 13-20 https://www.ester.ee/record=b1273235*est О целесообразности увеличения обратного напряжения силовых кремниевых диодовVaher, G.; Tarma, MatiПрименение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 11978 / с. 21-24 https://www.ester.ee/record=b1273235*est Определение характеристик силовых диодных структур методом фотохронографии рекомбинационного излученияKruusing, Arvi; Udal, Andres; Vaher, G.Силовые быстродействующие полупроводниковые приборы : сборник статей. Часть II1989 / с. 129-133 https://www.ester.ee/record=b1264433*est Расчет коэффициентов лавинного размножения в резких кремниевых р-п переходахVaher, G.; Velmre, EnnТезисы докладов республиканской научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Таллин, 19771977 / с. 49 https://www.ester.ee/record=b1313776*est Усовершенствование технологии и конструкции диодов Д143-2000 с применением диффузионной сваркиVaher, G.; Karuks, O.; Kruus, J.; Surženkov, G.; Tarma, M.; Tarma, MatiТехнология силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1987 / с. 134-138 : ил., табл https://www.ester.ee/record=b1353933*est