- Влияние адсорбционных процессов на электрофизические свойства поверхностных слоев диэлектрических материаловVeimer, Vladimir; Roninson, AleksanderЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 57-67
- Влияние влажности на поверхностную и объемную проводимость некоторых диэлектриковBender, Villem; Roninson, Aleksander; Silas, AarneЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 79-88
- Влияние механических напряжений на поверхностную и объемную проводимости некоторых диэлектриковBender, Villem; Veimer, Vladimir; Mere, Arvo; Roninson, Aleksander; Silas, AarneЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 65-72
- Влияние отжига на свойства порошков Cds : Cu : ClTuvike, Tiit; Palmre, Õie; Vallaste, Heikki; Päid, Imbi; Kuusmets, Eela; Petrov, P.I.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 37-45
- Влияние статических и динамических деформаций на электроизоляционные свойства резинBender, Villem; Veimer, Vladimir; Mere, ArvoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 100-108
- Гетероструктура CdS/TiO2 как фотоанод электрохимической ячейкиErm, AntsЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 66-83
- Изменение интенсивности рентгенолюминесценции в процессе окрашивания содалитовRuus, TõnuЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 31-37
- Изменение параметров интегральных схем при анализе в растровом электронном микроскопеMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 85-92 https://www.ester.ee/record=b1296001*est
- Измерение СВЧ фотопроводимости в материалах с высокой проводимостьюVallaste, Heikki; Mellikov, Enn; Tuvike, Tiit; Palmre, ÕieЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 57-63
- Импульсно-плазменное легирование кремния сурьмойGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 15-28
- Импульсно-плазменный отжиг слоев кремния, имплантированных боромGavrilov, Aleksei; Katšurin, G.A.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 3-13
- Индикатор качества противокоррозионной защитыVeimer, Vladimir; Kurik, Lembit; Sinivee, VeljoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 109-115
- Ионные процессы в каркасных алюмосиликатахDenks, V.; Mere, Arvo; Ruus, TõnuЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 35-51
- Исследование миграции примеси меди в монокристаллах сульфида кадмияAarna, Heiti; Reiter, ErikЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 43-48
- Исследование углов смачивания некоторых диэлектрических материаловVeimer, Vladimir; Bender, Villem; Kurik, Lembit; Udris, V.Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 69-78
- Источник стабилизированного тока для многократного анодного окисления полупроводниковGavrilov, Aleksei; Košelap, AndreiЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 94-99
- Концентрационное уширение полос краевого излучения сульфида кадмияKrustok, Jüri; Piibe, ToomasЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 22-28
- Межфазное взаимодействие и ориентационные соотношения в системе никкель - арсенид галлияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 3-12
- Металлографическое исследование арсенида галлия с помощью электрохимического травленияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 13-21
- Определение концентрационного профиля с помощью двух выпрямляющих контактовMankin, Romi; Paat, AaduЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 29-33
- Перераспределение вещества в поле внешних силAarna, Heiti; Mankin, Romi; Reiter, ErikЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 39-41
- Применение в ТПИ растворного электронного микроскопа в материаловеденииPaat, AaduЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 79-84
- Природа красной полосы люминесценции в CdS : Ag : ClKrustok, Jüri; Mädasson, Jaan; Altosaar, MareЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 23-30
- Процессы дефектообразования в примесном сульфиде кадмияMädasson, Jaan; Altosaar, Mare; Tomson, A.; Kukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 57-65
- Рекристаллизация порошков AIIBVIMellikov, EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 46-56
- Установка для измерения диэлектрических потерь порошковых материалов в широком интервале температур (80-600 К) и в условиях высокого вакуумаMere, ArvoЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1983 / с. 53-56
- Установка для многократного анодного окисления полупроводниковGavrilov, AlekseiЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 73-78
- Физико-химический анализ несовершенных полупроводниковых кристалловKukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 3-22
- Фотолюминесценция химически пульверизованных пленокErm, Ants; Krunks, Malle; Mellikov, EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 85-93
- Центры рекомбинации в легированном серебром и хлором сульфиде кадмияKrustok, Jüri; Mädasson, Jaan; Altosaar, Mare; Tomson, A.; Kukk, Peeter-EnnЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 29-36
- Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизацииKrunks, Malle; Mellikov, Enn; Seilenthal, MatsЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1986 / с. 49-55