TalTech publikatsioonid
pealdis Korolkov, O., Kozlovski, V., Lebedev, A., Sleptsuk, N., Toompuu, J., Rang, T.
TTÜ struktuuriüksus Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
maakood ch
keel inglise
autor Korolkov, Oleg
Kozlovski, Vitali V.
Lebedev, Alexander A.
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
pealkiri Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
vastutusandmed O.M. Korolkov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang
allikas Semiconductors
ajakirja aastakäik number kuu vol. 53, 7
ilmumisaasta 2019
leheküljed p. 975−978
märksõna temperatuuri toime
ränikarbiidid
elektronid
ISSN 1063-7826
märkused Bibliogr.: 14 ref
url https://doi.org/10.1134/S1063782619070133