TalTech publikatsioonid
pealdis Korolkov, O., Land, R., Toompuu, J., Sleptšuk, N., Rang, T.
TTÜ struktuuriüksus Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
maakood ch
keel inglise
autor Korolkov, Oleg
Land, Raul
Toompuu, Jana
Sleptšuk, Natalja
Rang, Toomas
pealkiri SiC JBS diode symmetrical voltage doubler represented as the diffusion-welded stack
vastutusandmed Oleg Korolkov, Raul Land, Jana Toompuu, Natalja Sleptsuk, Toomas Rang
allikas Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA
ilmumiskoht Zürich
kirjastus/väljaandja Trans Tech Publications
ilmumisaasta 2018
leheküljed p. 862–865 : ill
seeria-sari Materials science forum ; 924
konverentsi nimetus, aeg ICSCRM 2017 : Silicon carbide and related materials 2017, September 17-22, 2017
konverentsi toimumispaik Washington, DC, USA
märksõna pooljuhtdioodid
dioodid
Schottky barjäär
võtmesõna diffusion welded stacks
SiC JBS diodes
symmetrical voltage doubler
vertical integration
ISSN 0255-5476
ISBN 978-3-0357-1145-5
märkused Bibliogr.: 3 ref
url https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.862