TalTech publikatsioonid
pealdis Toompuu, J., Korolkov, O., Sleptšuk, N., Rang, T.
TTÜ struktuuriüksus Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
maakood ed
keel inglise
autor Toompuu, Jana
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
Rang, Toomas
pealkiri Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodes
vastutusandmed J. Toompuu, O. Korolkov, N. Sleptsuk, and T. Rang
allikas BEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia
ilmumiskoht Tallinn
kirjastus/väljaandja Tallinn University of Technology
ilmumisaasta 2014
leheküljed p. 25-28 : ill
konverentsi nimetus, aeg 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference, October 6-8, 2014
konverentsi toimumispaik Tallinn University of Technology
märksõna pooljuhtdioodid
Schottky barjäär
galliumarseniid
spektroskoopia
võtmesõna capacity relaxation method
deep levels
Gallium Arsenide
pin-diodes
ISSN 1736-3705
ISBN 978-9949-23-672-5
märkused Bibliogr.: 8 ref