full record print

Импульсно-плазменный отжиг слоев кремния, имплантированных бором

author
statement of authorship
А.А. Гаврилов, Г.А. Качурин
source
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 3-13 : ил
series
series variant title
url
ISSN
0136-3549
0136-3581
notes
Библиогр. : 12 назв
Summary: The plasma-impulse annealing of silicon layers implanted with boron
scientific publication
teaduspublikatsioon
TalTech department
language
vene
Гаврилов, А.А., Качурин, Г.А. Импульсно-плазменный отжиг слоев кремния, имплантированных бором // Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1983. с. 3-13 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 545, Полупроводниковые материалы ; 5). https://www.ester.ee/record=b1291687*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/9447de85-407e-426e-843d-2f0c98097f4e