Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate
author
Abashkina, S.
Rimshans, J.
Korolkov, V.I.
Tabarov, T.
statement of authorship
Abashkina S., Rimshans J. and Korolkov V., Tabarov T
source
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991. Section S, Simulation = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents / Tallinna Tehnikaülikool
location of publication
Tallinn
publisher
Tallinna Tehnikaülikool
year of publication
1992
pages
p. 83-88: ill
conference name, date
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : October 7-11, 1991 = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents
conference location
Tallinn
url
https://www.ester.ee/record=b1064031*est
subject term
transistorid
siirdeprotsessid
mahtuvus (elektrotehnika)
elektritakistus
arvutusmeetodid
notes
Bibl.: 3 ref
Kokkuvõte: Vertikaalse foto-väljatransistori siirdekarakteristikute numbriline modelleerimine koos tüürahela takistuse arvestamisega
language
inglise