Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации

statement of authorship
М.И. Крункс, Э.Я. Мелликов, М.И. Сейлентхал
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 49-55 : ил
ISSN
0136-3549
0320-3395
notes
Библиогр. : 6 назв
Abstract: Electrophysical properties of cadmium sulphide thin film Schottky barriers manufactured by chemical spray deposition
scientific publication
teaduspublikatsioon
TalTech department
language
vene
Крункс, М.И., Мелликов, Э.Я., Сейлентхал, М.И. Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации // Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1986. с. 49-55 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 620, Полупроводниковые материалы ; 7). https://www.ester.ee/record=b1296001*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/65e24755-71eb-4a99-b9fe-e1308121ed89