Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
author
statement of authorship
Корольков O.M., Козловский В.B., Лебедев A.A., Слепчук Н., Toompuu J., Rang T.
journal volume number month
вып. 7
year of publication
pages
с. 991-994
subject term
keyword
карбид кремния
облучение электронами
радиационные дефекты
отжиг
ISSN
0015-3222
notes
Bibliogr.: 17 ref
TTÜ department
language
vene
Корольков, O.M., Козловский, В.B., Слепчук, Н., Toompuu, J., Rang, T. et al. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами // Физика и техника полупроводников (2019) вып. 7, с. 991-994.