Метод исследования комплексного влияния параметров технологического микроклимата на качество полупроводниковых интегральных микросхем

vastutusandmed
Рятсеп, Ю. П.
ilmumiskoht
Таллин
ilmumisaasta
leheküljed
с. 81-82
konverentsi nimetus, aeg
Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования, посвященной Дню радио, ноябрь 1980
konverentsi toimumispaik
Таллин
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
Рятсеп, Ю. Метод исследования комплексного влияния параметров технологического микроклимата на качество полупроводниковых интегральных микросхем // Тезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы. Таллин : [Эстонское республиканское правление научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова], 1981. с. 81-82. https://www.ester.ee/record=b1310801*est