Operation of Single-Chip MOSFET and IGBT Devices after failure due to repetitive avalanche [Electronic resource]
autor
Blinov, Andrei
Norrga, Staffan
Tibola, Gabriel
vastutusandmed
Andrei Blinov, Staffan Norrga and Gabriel Tibola
allikas
EPE'15 ECCE Europe : 8-10 September 2015, Geneva, Switzerland : 17th European Conference on Power Electronics and Applications
ilmumiskoht
[S.l.]
kirjastus/väljaandja
CERN
ilmumisaasta
2015
leheküljed
p. 1-9 : ill. [USB]
konverentsi nimetus, aeg
17th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2015 ECCE Europe, 8-10 September, 2015
konverentsi toimumispaik
Geneva, Switzerland
leitav
http://dx.doi.org/10.1109/EPE.2015.7309190
märksõna
elektrimuundurid
pooljuhtseadised
rikked
töökindlus
võtmesõna
MOSFET
IGBT
breakdown
fault tolerance
device characterisation
power semiconductor device
reliability
ISBN
9789075815238
märkused
Bibliogr.: 7 ref
CERN = European Organization for Nuclear Research
TTÜ struktuuriüksus
elektrotehnika instituut
keel
inglise