Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур
                                            autor
                                    
                                    
                                
                                            vastutusandmed
                                    
                                    
Э.Э. Велмре
                                                    
                                            
                                            ilmumiskoht
                                    
                                    
Таллин
                                                    
                                            
                                            kirjastus/väljaandja
                                    
                                    
                                
                                            ilmumisaasta
                                    
                                    
                                
                                            leheküljed
                                    
                                    
с. 166-174 : ил
                                                    
                                            
                                            seeria-sari
                                    
                                    
                                
                                            seeria variantpealkiri
                                    
                                    
TPI Toimetised ; 674
                                                    
                                                    
Труды ТПИ ; 674
                                                    
                                            
                                            märkused
                                    
                                    
Библиогр. : 11 назв
                                                    
                                                    
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
                                                    
                                                    
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
                                                    
                                            
                                            keel
                                    
                                    
vene
                                                    
                                            
                            Велмре, Э.Э. Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 166-174 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35).