Dedicated to the memory of Prof. M. Sheinkman effect of ultrasonic treatment on the defect structure of the Si-SiO2 system
vastutusandmed
D. Kropman, S. Dolgov, P. Onufrijevs, E. Dauksta
allikas
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV
ilmumiskoht
[S.l.]
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
p. 352-357 : ill
seeria-sari
Solid state phenomena ; 205-206
konverentsi nimetus, aeg
15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST 2013, 22-27 September 2013
konverentsi toimumispaik
Oxford, UK
ISSN
1012-0394
ISBN
978-303785824-0
märkused
Bibliogr.: 14 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
võtmesõna
kvartiil
klassifikaator
Kropman, D., Dolgov, S., Onufrijevs, P., Dauksta, E. Dedicated to the memory of Prof. M. Sheinkman effect of ultrasonic treatment on the defect structure of the Si-SiO2 system // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. [S.l.] : Trans Tech Publications, 2014. p. 352-357 : ill. (Solid state phenomena ; 205-206).