Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии
author
statement of authorship
Т. Ранг, Э. Велмре
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 115-120 : илл
series
series variant title
url
notes
Библиогр. : 12 назв
Summary: Electron and hole mobility in silicon related to the doping concentration and temperature
scientific publication
teaduspublikatsioon
TTÜ department
language
vene
subject term
TTÜ subject term
classifier
Ранг, Т., Велмре, Э. Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии // Анализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1977. с. 115-120 : илл. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 432, Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей ; 15).