compact view print

Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур

author
Velmre, Enn
statement of authorship
Э.Э. Велмре
source
Машинное проектирование электронных устройств и систем
location of publication
Таллин
publisher
Таллинский политехнический институт
year of publication
1988
pages
с. 166-174 : ил
series
Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674
Электротехника и автоматика ; 35
series variant title
TPI Toimetised ; 674
Труды ТПИ ; 674
subject term
pooljuhtstruktuurid
matemaatiline modelleerimine
füüsikalised omadused
TalTech subject term
Tallinna Tehnikaülikooli toimetised
notes
Библиогр. : 11 назв
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
language
vene
Велмре, Э.Э. Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 166-174 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35).