Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках
author
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 26-36
series
series variant title
TPI Toimetised ; 639
Труды ТПИ ; 639
notes
Библиогр. : 30 назв
language
vene
subject term
TTÜ subject term
Ранг, Т. Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках // Исследования по прикладной квантовой электронике. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1987. с. 26-36. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 639, Радиотехника ; 15).