Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках
autor
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 26-36
seeria-sari
seeria variantpealkiri
TPI Toimetised ; 639
Труды ТПИ ; 639
TTÜ märksõna
märkused
Библиогр. : 30 назв
keel
vene
Ранг, Т. Моделирование концентрации носителей заряда в полупроводниках // Исследования по прикладной квантовой электронике. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1987. с. 26-36. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 639, Радиотехника ; 15).