Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии
author
statement of authorship
Т. Ранг, Э. Велмре
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 115-120 : илл
series
series variant title
url
subject term
TTÜ subject term
notes
Библиогр. : 12 назв
Summary: Electron and hole mobility in silicon related to the doping concentration and temperature
scientific publication
teaduspublikatsioon
classifier
TTÜ department
language
vene
Ранг, Т., Велмре, Э. Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси в кремнии // Анализ и моделирование технических устройств и систем АСУТП. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1977. с. 115-120 : илл. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 432, Труды по электротехнике и автоматике : сборник статей ; 15).