К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходах
autor                    
                    
                
vastutusandmed                    
                    
Г. Т. Вахер, Э. Э. Велмре
                            
                    
ilmumiskoht                    
                    
Таллин
                            
                    
kirjastus/väljaandja                    
                    
                
ilmumisaasta                    
                    
                
leheküljed                    
                    
с. 89-96
                            
                    
konverentsi nimetus, aeg                    
                    
Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов
                            
                    
konverentsi toimumispaik                    
                    
Таллин
                            
                    
märkused                    
                    
Библиогр.: 11 назв
                            
                    
TTÜ struktuuriüksus                    
                    
                
keel                    
                    
vene
                            
                    
                            Вахер, Г., Велмре, Э. К расчету некоторых параметров процесса лавинного размножения носителей в резких кремниевых p-n-переходах // Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов : сборник материалов Всесоюзного научно-технического семинара. Часть 1. Таллин : ЭстНИИНТИ, 1978. с. 89-96.  https://www.ester.ee/record=b1273235*est