Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Mellikov, Enn
Öpik, Andres
Lott, Kalju
Volobujeva, Olga
Kärner, T.
Heinmaa, I.
Laas, Tõnu
Medvid, A.
vastutusandmed
D.Kropman, E.Mellikov, A.Öpik, K.Lott, O.Volobujeva, T.Kärner, I.Heinmaa, T.Laas, A.Medvid
allikas
Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies : Kaunas, 24-27.09.2008
ilmumiskoht
Kaunas
kirjastus/väljaandja
Technologija
ilmumisaasta
2008
leheküljed
p. 204-207
leitav
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452609010321
märksõna
pinged (füüsika)
relaksatsioon (füüsika)
oksüdatsioon
räniühendid
keel
inglise