Toggle navigation
Publikatsioonid
Profiilid
Uurimisrühmad
Registrid
Abi ja info
Switch to English
Intranet
Publikatsioonid
Profiilid
Uurimisrühmad
Registrid
Abi ja info
English
Intranet
Andmebaasid
Publikatsioonid
Otsing
Valitud kirjed
0
Kropman, Daniel (autor)
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Lisa tingimus
Liitotsing
filter
Tühista
×
teaviku laadid
raamat
..
artikkel ajakirjas
..
artikkel ajalehes
..
artikkel kogumikus
..
dissertatsioon
..
Open Access
..
Teaduspublikatsioon
..
aasta
ilmumisaasta
Toon andmeid..
autor
Toon andmeid..
TTÜ struktuuriüksus
Toon andmeid..
märksõna
Toon andmeid..
seeria-sari
Toon andmeid..
tema kohta
Toon andmeid..
võtmesõna
Toon andmeid..
Tühista
Kirjeid leitud
29
Vaata veel..
(3/102)
Ekspordi
ekspordi kõik päringu tulemused
(29)
Salvesta TXT fail
Salvesta PDF fail
prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava
valitud kirjed
kuva
Bibliokirje
Lühikirje
reasta
autor kasvavalt
autor kahanevalt
ilmumisaasta kasvavalt
ilmumisaasta kahanevalt
pealkiri kasvavalt
pealkiri kahanevalt
1
artikkel kogumikus EST
/
artikkel kogumikus ENG
Dedicated to the memory of Prof. M. Sheinkman effect of ultrasonic treatment on the defect structure of the Si-SiO2 system
Kropman, Daniel
;
Dolgov, Sergei
;
Onufrijevs, Pavels
;
Dauksta, Edvins
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV
2014
/
p. 352-357 : ill
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.352
Conference proceedings at Scopus
Article at Scopus
Conference proceedings at WOS
Article at WOS
artikkel kogumikus EST
/
artikkel kogumikus ENG
2
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
Effect of ultrasonic treatment on the defect structure of the Si-SiO2 system
Kropman, Daniel
;
Seeman, Viktor
;
Dolgov, Sergei
;
Medvids, Arturs
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
2016
/
p. 793 - 797
https://doi.org/10.1002/pssc.201600052
Journal metrics at Scopus
Article at Scopus
Article at WOS
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
3
artikkel ajakirjas
Hydrogen interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Laas, Tõnu
;
Heinmaa, I.
;
Abru, Uno
;
Medvid, A.
Solid state phenomena
2008
/
p. 345-350
https://www.scientific.net/SSP.131-133.345
artikkel ajakirjas
4
artikkel ajakirjas
Impurity interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Laas, Tõnu
;
Heinmaa, I.
;
Medvid, A.
Materials science and engineering : B
2006
/
p. 222-226 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510706004375
artikkel ajakirjas
5
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects in the Si-Si=2 system
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Samoson, Ago
;
Heinmaa, I.
;
Mellikov, Enn
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B
2002
/
p. 78-82
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X0100862X
artikkel ajakirjas
6
artikkel kogumikus
Interaction between point defects in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Samoson, Ago
;
Heidmaa, I.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Defect and Diffusion Forum
2001
/
p. 1737-1744
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168583X0100862X
artikkel kogumikus
7
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Thin solid films
2004
/
1/2, p. 53-57 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0921510704003459
artikkel ajakirjas
8
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Kauk, Marit
Materials science and engineering : B
2004
/
p. 295-298 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0921510704003459
artikkel ajakirjas
9
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, Tiit
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, Charalampos
;
Misiuk, Andrzej
Solid state phenomena
2011
/
p. 263-266
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009014564
artikkel ajakirjas
10
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Kärner, Tiit
;
Dolgov, Sergei
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, Charalampos
Physica status solidi (c)
2011
/
p. 694-696 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009014564
artikkel ajakirjas
11
artikkel kogumikus
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Kärner, Tiit
;
Dolgov, Sergei
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, C. A.
The 9th International Conference on Global Research and Education : August 9-12, 2010, Riga : digest
2010
/
p. 231-233
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564
artikkel kogumikus
12
artikkel kogumikus
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
Getterring and defect engineering in semiconductor technology XIII : CADEST 2009 : proceedings of the XIIIth International Autumn Meeting, Döllnsee-Schorfheide, north of Berlin, Germany, September 26 - October 02, 2009
2010
/
p. 145-148 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564
artikkel kogumikus
13
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
;
Skroupa, W.
;
Prucnal, S.
;
Zvyagin, S.
;
Cizmar, E.
;
Ozerov, M.
;
Wosnitsa, J.
Solid state phenomena
2010
/
p. 145-148 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564
artikkel ajakirjas
14
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
;
Skroupa, W.
;
Prucnal, S.
;
Rebohle, L.
;
Zvyagin, S.
;
Cizmar, E.
;
Ozerov, M.
;
Wosnitsa, J.
Thin solid films
2010
/
9, p. 2374-2376
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564
artikkel ajakirjas
15
artikkel kogumikus
Interaktsioon punktdefektide ja lisandite vahel süsteemis Si-SiO2 ja nende mõju piirpinna omadustele : [ettekande sisukokkuvõte]
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
Eesti Füüsika Seltsi aastaraamat 2008
2009
/
lk. 119-120
artikkel kogumikus
16
artikkel ajakirjas
Investigation of strain relaxion mechanism in Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Poll, V.
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Arbu, Uno
;
Paomets, V.
Physica status solidi (a)
2003
/
2, p. 297-301
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssa.200306611
artikkel ajakirjas
17
artikkel ajakirjas
Low-K factor of SiO2 layer on Si irradiated by YAG:Nd laser
Medvid, A.
;
Onufrijevs, Pavels
;
Mellikov, Enn
;
Kropman, Daniel
;
Muktepavela, F.
;
Bakradze, G.
Journal of non-crystalline solids
2007
/
p. 703-707 : ill
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309306014116
artikkel ajakirjas
18
artikkel kogumikus
Point defects interaction with extended defects and impurities and its influence on the Si-SiO2 system properties
Kropman, Daniel
;
Arbu, Uno
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Kauk, Marit
;
Heinmaa, I.
;
Samoson, Ago
;
Medvid, A.
Gettering and defect engineering in semiconductor technology. XI
2005
/
p. 333-338 : ill
https://www.researchgate.net/publication/243760197_Point_Defects_Interaction_with_Extended_Defects_and_Impurities_and_Its_Influence_on_the_Si-SiO_2_System_Properties
artikkel kogumikus
19
artikkel kogumikus
Point defects interaction with extended defects in the Si-SiO2 system [Electronic resource]
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Proceedings IVC-16 : Venice, 2004
2004
/
p. SS1-TuP394 [CD-ROM]
https://www.researchgate.net/publication/243760197_Point_Defects_Interaction_with_Extended_Defects_and_Impurities_and_Its_Influence_on_the_Si-SiO_2_System_Properties
artikkel kogumikus
20
artikkel kogumikus
Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Volobujeva, Olga
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies : Kaunas, 24-27.09.2008
2008
/
p. 204-207
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452609010321
artikkel kogumikus
21
artikkel ajakirjas
Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Volobujeva, Olga
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
Physica B : condensed matter
2009
/
23/24, p. 5153-5155 : ill
artikkel ajakirjas
22
artikkel ajakirjas
Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, Tiit
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, Arthur
;
Onufrijevs, Pavels
;
Dauksta, Edvins
Solid state phenomena
2011
/
p. 259-262
https://globaljournals.org/GJSFR_Volume17/1-Stresses-Relaxation-Mechanism.pdf
artikkel ajakirjas
23
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Seeman, Viktor
;
Dolgov, Sergei
;
Heinmaa, Ivo
;
Medvid, Artur
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
2016
/
p. 790 - 792
https://doi.org/10.1002/pssc.201600051
Journal metrics at Scopus
Article at Scopus
Article at WOS
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
24
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
Understanding and control of stress at Si-SiO2 interface
Kropman, Daniel
;
Seeman, Viktor
;
Medvids, Arturs
;
Onufrijevs, Pavels
;
Vitusevich, Svetlana
;
Mikli, Valdek
Key engineering materials
2020
/
p. 291−296
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.850.291
Journal metrics at Scopus
Article at Scopus
artikkel ajakirjas EST
/
artikkel ajakirjas ENG
25
artikkel kogumikus
Влияние неоднородностей в моно- и поликристаллическом Cds на фотоэлектрические и длинновременные неравновесные свойства
Kropman, Daniel
;
Lott, Kalju
;
Šeinkman, M.
Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6 : тезисы докладов IV всесоюзного совещания (Одесса, 16-19 ноября 1976 г.)
1976
/
с. 123
https://www.ester.ee/record=b2969209*est
artikkel kogumikus
Kirjeid leitud 29, kuvan
1 - 25
eelmine
1
2
järgmine
autor
82
1.
Kropman, Daniel
2.
Aasorg, Daniel
3.
Abou-Ras, Daniel
4.
Akinyele, Daniel
5.
Blande, Daniel
6.
Brandell, Daniel
7.
Brandon, Daniel
8.
Brandon, Daniël
9.
Brewer, Daniel S.
10.
Cederkrantz, Daniel
11.
Condon, Daniel J.
12.
Dailin, Daniel Joe
13.
Damm, Daniel Wilken
14.
Daniel, Ashish
15.
Daniel, Eghert
16.
Daniel, Jürg M.
17.
Daniel, Kamran
18.
Daniel, Laurent
19.
Daniel, O.
20.
Daniel, Raul
21.
Depellegrin, Daniel
22.
Dsa, Daniel
23.
Gallagher, Daniel
24.
Garcia-Souto, Daniel
25.
Garton, Daniel R.
26.
Geschwind, Daniel H.
27.
Gilman, Daniel
28.
Goldman, Daniel
29.
Govert, Daniel J.
30.
Gryko, Daniel T.
31.
Guerra, Dias Daniel
32.
Göz, Daniel
33.
Hawthorne, Daniel
34.
Hayes, Daniel S.
35.
Helmer, Daniel
36.
Hering, Daniel
37.
Herlemann, Daniel Philipp Ralf
38.
Hess, Daniel Baldwin
39.
Janczak, Daniel
40.
Johansson, Daniel
41.
Jugend, Daniel
42.
Juhhov, Daniel
43.
Jun, Daniel
44.
Kamran, Daniel
45.
Kehlmann, Daniel
46.
Kerek, Daniel
47.
Kilper, Daniel C.
48.
Klüh, Daniel
49.
Knaller, Daniel
50.
Kneeshaw, Daniel D.
51.
Kraak, Daniel
52.
Krklec, Daniel
53.
Kulin, Daniel
54.
Leevik, Daniel
55.
Lindberg, Daniel
56.
Lõhmus, Daniel
57.
Lyons, Daniel
58.
Maier, Daniel
59.
Marbacher, Daniel
60.
Meiers, Daniel
61.
Michel, Daniel
62.
Møller Sneum, Daniel
63.
Mourad, Daniel S.J.
64.
Märtmaa, Daniel
65.
Ndlovu, Daniel
66.
Nelson, Daniel B.
67.
Palgi, Daniel
68.
Pella, Daniel
69.
Peterson, Jan-Daniel
70.
Philipps, Daniel
71.
Rak, Daniel
72.
Rauber, Daniel
73.
Rosebrock, Daniel
74.
Schaer, Daniel Erik
75.
Sköld, Daniel
76.
Smertnig, Daniel
77.
Sopher, Daniel
78.
Sopu, Daniel
79.
Stoddart, Daniel
80.
Sturges, Daniel
81.
Vaarik, Daniel
82.
Yngsell, Daniel
CV
12
1.
Kropman, Daniel
2.
Kropman, Daniel Josif
3.
Arensburger, Daniel
4.
Daniel, Eghert
5.
Daniel, Kamran
6.
Daniel, Oskar Evald 1874-1945
7.
Good, Daniel
8.
Kacsor, Daniel
9.
Kácsor, Dániel
10.
Konsap, Daniel 1881-1941
11.
Lõhmus, Daniel
12.
Teittinen, Daniel Anselm
tema kohta
8
1.
Daniel, Oskar Evald, 1874-1945
2.
Defoe, Daniel
3.
Ita, Daniel Raphael
4.
Kehlmann, Daniel, 1975-
5.
Kojus, Daniel-Toomas
6.
Kotsjuba, Daniel
7.
Labrosse, Daniel
8.
Raymond, Daniel, 1786-1849
×
vaste
algab
lõpeb
sisaldab
reasta
Relevantsuse alusel
kasvavalt
kahanevalt
ilmumisaasta
autor
TTÜ struktuuriüksus
märksõna
seeria-sari
tema kohta
võtmesõna
Otsing
Valikud
0
ilmumisaasta
AND
OR
NOT
autor
AND
OR
NOT
TTÜ struktuuriüksus
AND
OR
NOT
märksõna
AND
OR
NOT
seeria-sari
AND
OR
NOT
tema kohta
AND
OR
NOT
võtmesõna
AND
OR
NOT