Toggle navigation
Otsi
Publikatsioonid
Profiilid
Registrid
Abi ja info
Switch to English
Intranet
Publikatsioonid
Profiilid
Registrid
Abi ja info
English
Intranet
Andmebaasid
Publikatsioonid
Otsing
Valitud kirjed
0
Kropman, Daniel (autor)
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Lisa tingimus
Liitotsing
filter
Tühista
×
teaviku laadid
raamat
..
artikkel ajakirjas
..
artikkel ajalehes
..
artikkel kogumikus
..
dissertatsioon
..
Open Access
..
Teaduspublikatsioon
..
aasta
ilmumisaasta
Toon andmeid..
autor
Toon andmeid..
TTÜ struktuuriüksus
Toon andmeid..
märksõna
Toon andmeid..
seeria-sari
Toon andmeid..
tema kohta
Toon andmeid..
võtmesõna
Toon andmeid..
Kirjeid leitud
26
Vaata veel..
(0/0)
Ekspordi
ekspordi kõik päringu tulemused
(26)
Salvesta TXT fail
Salvesta PDF fail
prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava
valitud kirjed
kuva
Bibliokirje
Lühikirje
reasta
autor kasvavalt
autor kahanevalt
ilmumisaasta kasvavalt
ilmumisaasta kahanevalt
pealkiri kasvavalt
pealkiri kahanevalt
1
artikkel ajakirjas
Hydrogen interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Laas, Tõnu
;
Heinmaa, I.
;
Abru, Uno
;
Medvid, A.
Solid state phenomena
2008
/
p. 345-350
artikkel ajakirjas
2
artikkel ajakirjas
Impurity interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Laas, Tõnu
;
Heinmaa, I.
;
Medvid, A.
Materials science and engineering : B
2006
/
p. 222-226 : ill
artikkel ajakirjas
3
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects in the Si-Si=2 system
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Samoson, Ago
;
Heinmaa, I.
;
Mellikov, Enn
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B
2002
/
p. 78-82
artikkel ajakirjas
4
artikkel kogumikus
Interaction between point defects in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Samoson, Ago
;
Heidmaa, I.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Defect and Diffusion Forum
2001
/
p. 1737-1744
artikkel kogumikus
5
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Thin solid films
2004
/
1/2, p. 53-57 : ill
artikkel ajakirjas
6
artikkel ajakirjas
Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Kauk, Marit
Materials science and engineering : B
2004
/
p. 295-298 : ill
artikkel ajakirjas
7
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, Tiit
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, Charalampos
;
Misiuk, Andrzej
Solid state phenomena
2011
/
p. 263-266
artikkel ajakirjas
8
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Kärner, Tiit
;
Dolgov, Sergei
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, Charalampos
Physica status solidi (c)
2011
/
p. 694-696 : ill
artikkel ajakirjas
9
artikkel kogumikus
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Kärner, Tiit
;
Dolgov, Sergei
;
Heinmaa, Ivo
;
Laas, Tõnu
;
Londos, C. A.
The 9th International Conference on Global Research and Education : August 9-12, 2010, Riga : digest
2010
/
p. 231-233
artikkel kogumikus
10
artikkel kogumikus
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
Getterring and defect engineering in semiconductor technology XIII : CADEST 2009 : proceedings of the XIIIth International Autumn Meeting, Döllnsee-Schorfheide, north of Berlin, Germany, September 26 - October 02, 2009
2010
/
p. 145-148 : ill
artikkel kogumikus
11
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
;
Skroupa, W.
;
Prucnal, S.
;
Zvyagin, S.
;
Cizmar, E.
;
Ozerov, M.
;
Wosnitsa, J.
Solid state phenomena
2010
/
p. 145-148 : ill
artikkel ajakirjas
12
artikkel ajakirjas
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interface
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
;
Skroupa, W.
;
Prucnal, S.
;
Rebohle, L.
;
Zvyagin, S.
;
Cizmar, E.
;
Ozerov, M.
;
Wosnitsa, J.
Thin solid films
2010
/
9, p. 2374-2376
artikkel ajakirjas
13
artikkel kogumikus
Interaktsioon punktdefektide ja lisandite vahel süsteemis Si-SiO2 ja nende mõju piirpinna omadustele : [ettekande sisukokkuvõte]
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
Eesti Füüsika Seltsi aastaraamat 2008
2009
/
lk. 119-120
artikkel kogumikus
14
artikkel ajakirjas
Investigation of strain relaxion mechanism in Si-SiO2 system during the process of its formation
Kropman, Daniel
;
Poll, V.
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Arbu, Uno
;
Paomets, V.
Physica status solidi (a)
2003
/
2, p. 297-301
artikkel ajakirjas
15
artikkel ajakirjas
Low-K factor of SiO2 layer on Si irradiated by YAG:Nd laser
Medvid, A.
;
Onufrijevs, Pavels
;
Mellikov, Enn
;
Kropman, Daniel
;
Muktepavela, F.
;
Bakradze, G.
Journal of non-crystalline solids
2007
/
p. 703-707 : ill
artikkel ajakirjas
16
artikkel kogumikus
Point defects interaction with extended defects and impurities and its influence on the Si-SiO2 system properties
Kropman, Daniel
;
Arbu, Uno
;
Kärner, T.
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
;
Kauk, Marit
;
Heinmaa, I.
;
Samoson, Ago
;
Medvid, A.
Gettering and defect engineering in semiconductor technology. XI
2005
/
p. 333-338 : ill
artikkel kogumikus
17
artikkel kogumikus
Point defects interaction with extended defects in the Si-SiO2 system [Electronic resource]
Kropman, Daniel
;
Kärner, T.
;
Abru, Uno
;
Ugaste, Ülo
;
Mellikov, Enn
Proceedings IVC-16 : Venice, 2004
2004
/
p. SS1-TuP394 [CD-ROM]
artikkel kogumikus
18
artikkel kogumikus
Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Volobujeva, Olga
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies : Kaunas, 24-27.09.2008
2008
/
p. 204-207
artikkel kogumikus
19
artikkel ajakirjas
Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Öpik, Andres
;
Lott, Kalju
;
Volobujeva, Olga
;
Kärner, T.
;
Heinmaa, I.
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, A.
Physica B : condensed matter
2009
/
23/24, p. 5153-5155 : ill
artikkel ajakirjas
20
artikkel ajakirjas
Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
Kropman, Daniel
;
Mellikov, Enn
;
Kärner, Tiit
;
Laas, Tõnu
;
Medvid, Arthur
;
Onufrijevs, Pavels
;
Dauksta, Edvins
Solid state phenomena
2011
/
p. 259-262
artikkel ajakirjas
21
artikkel ajakirjas
Understanding and control of stress at Si-SiO2 interface
Kropman, Daniel
;
Seeman, Viktor
;
Medvids, Arturs
;
Onufrijevs, Pavels
;
Vitusevich, Svetlana
;
Mikli, Valdek
Key engineering materials
2020
/
p. 291−296
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.850.291
artikkel ajakirjas
22
artikkel kogumikus
Влияние неоднородностей в моно- и поликристаллическом Cds на фотоэлектрические и длинновременные неравновесные свойства
Kropman, Daniel
;
Lott, Kalju
;
Šeinkman, M.
Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6 : тезисы докладов IV всесоюзного совещания (Одесса, 16-19 ноября 1976 г.)
1976
/
с. 123
https://www.ester.ee/record=b2969209*est
artikkel kogumikus
23
artikkel ajakirjas
Влияние облучения низкоэнергетическими электронами в растровом электронном микроскопе на параметры полупроводниковых приборов
Meiler, Boriss
;
Kropman, Daniel
;
Levtšenkova, Alla
Микроэлектроника
1987
/
с. 165-169 : илл
https://www.ester.ee/record=b2147720*est
artikkel ajakirjas
24
artikkel kogumikus
Исследование температурного тушения фотопроводимости в пленках CdS
Kropman, Daniel
Полупроводниковые материалы. 1
1969
/
с. 107-113 : илл
https://www.ester.ee/record=b1346474*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/da24f532-932d-41c5-8925-a52dfa4b18c8/
artikkel kogumikus
25
artikkel kogumikus
Исследование термостимулированной провидимости и эффекта Холла в пленках CdS
Kropman, Daniel
Полупроводниковые материалы. 1
1969
/
с. 97-105 : илл
https://www.ester.ee/record=b1346474*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/da24f532-932d-41c5-8925-a52dfa4b18c8/
artikkel kogumikus
Kirjeid leitud 26, kuvan
1 - 25
eelmine
1
2
järgmine
×
vaste
algab
lõpeb
sisaldab
reasta
Relevantsuse alusel
kasvavalt
kahanevalt
ilmumisaasta
autor
TTÜ struktuuriüksus
märksõna
seeria-sari
tema kohta
võtmesõna
Otsing
Valikud
0
ilmumisaasta
AND
OR
NOT
autor
AND
OR
NOT
TTÜ struktuuriüksus
AND
OR
NOT
märksõna
AND
OR
NOT
seeria-sari
AND
OR
NOT
tema kohta
AND
OR
NOT
võtmesõna
AND
OR
NOT