Investigation of silicon carbide diode structures via numerical simulations including anisotropic effects
autor
Velmre, Enn
Udal, Andres
Masszi, F.
Nordlander, E.
vastutusandmed
E.Velmre, A.Udal, F.Masszi and E.Nordlander
allikas
Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6
ilmumiskoht
Wien
kirjastus/väljaandja
Springer
ilmumisaasta
1995
leheküljed
p. 340-343: ill
leitav
https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-7091-6619-2_83
märksõna
ränikarbiid
dioodid
struktuur
simulatsioon
materjalid
anisotroopia
võtmesõna
Diode Structure
Conductivity Anisotropy
Bottom Contact
Field Penetration Depth
Mobility Anisotropy
ISBN
978-3-7091-6619-2 (Online)
978-3-7091-7363-3
märkused
Bibl.: 7 ref
keel
inglise