Toggle navigation
Otsi
Publikatsioonid
Profiilid
Registrid
Abi ja info
Switch to English
Intranet
Publikatsioonid
Profiilid
Registrid
Abi ja info
English
Intranet
Andmebaasid
Publikatsioonid
Otsing
Valitud kirjed
0
ränikarbiid (märksõna)
Kõikidelt väljadelt
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
Kõikidelt väljadelt
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Lisa tingimus
Liitotsing
filter
Tühista
×
teaviku laadid
raamat
..
artikkel ajakirjas
..
artikkel ajalehes
..
artikkel kogumikus
..
dissertatsioon
..
Open Access
..
Teaduspublikatsioon
..
aasta
ilmumisaasta
Toon andmeid..
autor
Toon andmeid..
TTÜ struktuuriüksus
Toon andmeid..
märksõna
Toon andmeid..
seeria-sari
Toon andmeid..
tema kohta
Toon andmeid..
võtmesõna
Toon andmeid..
Kirjeid leitud
45
Vaata veel..
(0/0)
Ekspordi
ekspordi kõik päringu tulemused
(45)
Salvesta TXT fail
Salvesta PDF fail
prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava
valitud kirjed
kuva
Bibliokirje
Lühikirje
reasta
autor kasvavalt
autor kahanevalt
ilmumisaasta kasvavalt
ilmumisaasta kahanevalt
pealkiri kasvavalt
pealkiri kahanevalt
1
artikkel kogumikus
A theoretical study of electron drift mobility anisotropy in n-type 4H- and 6H-SiC
Velmre, Enn
;
Udal, Andres
Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99) : Research Triangle Park, North-Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999. Vol. 1
2000
/
p. 725-728
artikkel kogumikus
2
artikkel ajakirjas
An analysis of critical parameters of SiC JBS structures
Kurel, Raido
;
Rang, Toomas
;
Poirier, Laurent
Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering
2006
/
3-2, p. 284-299 : ill
artikkel ajakirjas
3
artikkel kogumikus
Analysis of barrier inhomogeneities of P-type Al/4H-SiC schottky barrier diodes
Ziko, Mehadi Hasan
;
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
;
Toompuu, Jana
Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019
2020
/
p. 960-972
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.960
artikkel kogumikus
4
dissertatsioon
Characterization of Interfaces Between the Metal Film and Silicon Carbide Semiconductor = Metallkontakti ja ränikarbiidi vahelise liidespinna karakteriseerimine
Ziko, Mehadi Hasan
2021
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/34be534c-63e8-4013-b271-eaf1a7cb22e7
https://www.ester.ee/record=b5471196*est
dissertatsioon
5
dissertatsioon
Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine
Rashid, Muhammad Haroon
2021
https://www.ester.ee/record=b5397240*est
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/a64fd50e-125c-49ad-b0a6-6ad2e01b8bfa
dissertatsioon
6
artikkel kogumikus
Combustion synthesis of nanoscale boron and silicon carbides
Zakaryan, Marieta
;
Amirkhanyan, Narine
;
Kirakosyan, Hasmik
;
Zurnachyan, Alina
;
Aydinyan, Sofiya
CIMTEC 2022 : 15th International Ceramics Congress (June 20-24)
CIMTEC 2022 : 9th Forum on New Materials (June 25-29)
2022
http://2022.cimtec-congress.org/focused-session-ca-11_1
artikkel kogumikus
7
artikkel kogumikus
Comparative characteristics of diffusion-welded high-voltage stacks and connected in series Schottky diodes
Sleptšuk, Natalja
;
Korolkov, Oleg
;
Land, Raul
;
Toompuu, Jana
;
Annus, Paul
;
Rang, Toomas
BEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia
2016
/
p. 39-42 : ill
http://www.ester.ee/record=b2150914*est
artikkel kogumikus
8
artikkel kogumikus
Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electrons
Lebedev, Alexander A.
;
Davidovskaja, Klavdia
;
Kozlovski, Vitali V.
;
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
Silicon Carbide and Related Materials 2016 : selected, peer reviewed papers from the 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 (ECSCRM 2016), September 25-29, 2016, Halkidiki, Greece
2017
/
p. 447-450 : ill
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447
artikkel kogumikus
9
artikkel kogumikus
Degragation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradation with 0,9 MeV electrons
Lebedev, Alexander A.
;
Davydovskaja, K. S.
;
Kozlovski, Vitali V.
;
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]
2016
/
p. 49
artikkel kogumikus
10
artikkel kogumikus
Diffusion welding contacts to 6H-SiC substrates
Korolkov, Oleg
;
Rang, Toomas
43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, 21.-24.09.1998
1998
/
p. 47-48
artikkel kogumikus
11
artikkel kogumikus
Diffusion welding techniques for power SiC Schottky packaging
Korolkov, Oleg
;
Rang, Toomas
;
Syrkin, A.
;
Dmitriev, V.
Silicon carbide and related materials 2005
2006
/
p. 919-922
artikkel kogumikus
12
artikkel ajakirjas
Effect of milling time on dual-nanoparticulate-reinforced aluminum alloy matrix composite materials
Kwon, Hansang
;
Saarna, Mart
;
Yoon, Songhak
;
Weidenkaff, Anke
;
Leparoux, Marc
Materials science and engineering : A
2014
/
p. 338-345
https://doi.org/10.1016/j.msea.2013.10.046
artikkel ajakirjas
13
artikkel kogumikus
Feasibility study of Si and SiC MOSFETs in high-gain DC/DC converter for renewable energy applications
Blinov, Andrei
;
Chub, Andrii
;
Vinnikov, Dmitri
;
Rang, Toomas
Proceedings : IECON 2013 - 39th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society : Austria Center Vienna, Vienna, Austria, 10-14 November, 2013
2013
/
p. 5975-5978 : ill
artikkel kogumikus
14
dissertatsioon
Formation of Diffusion welded Al contacts to semiconductor silicon carbide
Korolkov, Oleg
2004
dissertatsioon
15
artikkel kogumikus
Grid-frequency Vienna rectifier and isolated current-source DC-DC converters for efficient off-board charging of electric vehicles
Rabkowski, Jacek
;
Blinov, Andrei
;
Zinchenko, Denys
;
Wrona, Grzegorz
;
Zdanowski, Mariusz
2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe), Lyon, France, 7-11 Sept. 2020
2020
/
10 p. : ill
https://doi.org/10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215772
artikkel kogumikus
16
artikkel kogumikus
High voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes
Korolkov, Oleg
;
Rang, Toomas
;
Sleptšuk, Natalja
;
Annus, Paul
;
Land, Raul
ICSRM 2015 : program guide
2015
/
p. 73
artikkel kogumikus
17
artikkel ajakirjas
High-efficiency 312-kVA three-phase inverter using parallel connection of silicon carbide MOSFET power modules
Colmenares, Juan
;
Peftitsis, Dimosthenis
;
Rabkowski, Jacek
IEEE transactions on industry applications
2015
/
p. 4664-4676 : ill
http://dx.doi.org/10.1109/TIA.2015.2456422
artikkel ajakirjas
18
artikkel kogumikus
High-voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Annus, Paul
;
Land, Raul
;
Rang, Toomas
Silicon carbide and related materials 2015 (ICSRM 2015) : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy
2016
/
p. 790-794 : ill
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.790
artikkel kogumikus
19
artikkel ajakirjas
Interfaces to 6H-SiC substrates - technology and simulation
Rang, Toomas
;
Blum, Alfons
Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering
1997
/
4, p. 250-259: ill
artikkel ajakirjas
20
artikkel ajakirjas
Interpretation of some physical parameters of SiC Schottky interfaces manufactured by diffusion welding technology
Rang, Toomas
;
Korolkov, Oleg
;
Ljutov, Jevgeni
Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering
2004
/
3, p. 179-184
artikkel ajakirjas
21
dissertatsioon
Investigation of electrical characteristics of SiC based complementary JBS structures
Kurel, Raido
2005
https://www.ester.ee/record=b2053292*est
dissertatsioon
22
dissertatsioon
Investigation of the intermediate layer in the metal-silicon carbide contact obtained by diffusion welding = Difusioonkeevitusega valmistatud metalli ja ränikarbiidi vahelise üleminekuala vahekihi uurimine
Sleptšuk, Natalja
2011
https://www.ester.ee/record=b2692547*est
dissertatsioon
23
artikkel ajakirjas
Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
Korolkov, Oleg
;
Kozlovski, Vitali V.
;
Lebedev, Alexander A.
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
;
Rang, Toomas
Semiconductors
2019
/
p. 975−978
https://doi.org/10.1134/S1063782619070133
artikkel ajakirjas
24
artikkel ajakirjas
Modeling and simulations of 4H-SiC/6H-SiC/4H-SiC single quantum-Well light emitting diode using diffusion bonding technique
Rashid, Muhammad Haroon
;
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
Micromachines
2021
/
art. 1499
https://doi.org/10.3390/mi12121499
artikkel ajakirjas
25
artikkel ajakirjas
Modelling of charge carrier non-isothermal transport in silicon and silicon carbide
Velmre, Enn
;
Udal, Andres
Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering
2000
/
2, p. 144-154 : ill
artikkel ajakirjas
Kirjeid leitud 45, kuvan
1 - 25
eelmine
1
2
järgmine
×
vaste
algab
lõpeb
sisaldab
reasta
Relevantsuse alusel
kasvavalt
kahanevalt
ilmumisaasta
autor
TTÜ struktuuriüksus
märksõna
seeria-sari
tema kohta
võtmesõna
Otsing
Valikud
0
ilmumisaasta
AND
OR
NOT
autor
AND
OR
NOT
TTÜ struktuuriüksus
AND
OR
NOT
märksõna
AND
OR
NOT
seeria-sari
AND
OR
NOT
tema kohta
AND
OR
NOT
võtmesõna
AND
OR
NOT