Characterisation of 1200 V RB-IGBTs with different irradiation levels under hard and soft switching conditions
autor
Blinov, Andrei
Korkh, Oleksandr
Vinnikov, Dmitri
Waind, Peter
vastutusandmed
Andrei Blinov, Oleksandr Korkh, Dmitri Vinnikov, Peter Waind
allikas
2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe) : Riga, Latvia, 17-21 September 2018
ilmumiskoht
Red Hook
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2018
leheküljed
p. 1382-1391 : ill
konverentsi nimetus, aeg
20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 17-21 September 2018
konverentsi toimumispaik
Riga, Latvia
leitav
https://ieeexplore.ieee.org/document/8515535
märksõna
pooljuhtseadised
võtmesõna
IGBT
power semiconductor device
soft switching
ZCS converters
ISBN
978-1-5386-4145-3
märkused
Bibliogr.: 15 ref
TTÜ struktuuriüksus
elektroenergeetika ja mehhatroonika instituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Jõuelektroonika uurimisrühm