Comparative results of low temperature annealing of lightly doped n-layers of silicon carbide irradiated by protons and electrons
autor
Kozlovski, Vitali V.
Korolkov, Oleg
Lebedev, Alexander A.
Toompuu, Jana
Sleptsuk, Natalja
vastutusandmed
Vitalii V. Kozlovski, Oleg Korolkov, Alexander A. Lebedev, Jana Toompuu, Natalja Sleptsuk
allikas
Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019
ilmumiskoht
Zürich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications Ltd.
ilmumisaasta
2020
leheküljed
p. 231-236
seeria-sari
Materials science forum ; 1004
konverentsi nimetus, aeg
18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2019, 29 Sept. - 4 Oct. 2019
konverentsi toimumispaik
Kyoto, Japan
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.231
märksõna
teras
spektroskoopia
elektronid
dioodid
prootonid
Scopus
Conference Proceedings at Scopus
Article at Scopus
kvartiil
Q3
kategooria (üld)
Engineering
en
Tehnika
et
Materials science
en
Materjaliteadus
et
Physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia
et
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
en
Tehnika. Masinaehitus
et
Materials science. General materials science
en
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
et
Engineering. Mechanics of materials
en
Tehnika. Materjalide mehaanika
et
Physics and astronomy. Condensed matter physics
en
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
et
võtmesõna
annealing kinetics
DLTS spectra
electron irradiation
JBS diodes
proton irradiation
ISSN
0255-5476
ISBN
978-303571579-8
märkused
Bibliogr.: 19ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise