Gate and base drivers for silicon carbide power transistors : an overview
autor
Peftitsis, Dimosthenis
Rabkowski, Jacek
vastutusandmed
Dimosthenis Peftitsis, and Jacek Rabkowski
allikas
IEEE transactions on power electronics
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 31, 10
ilmumisaasta
2016
leheküljed
p. 7194-7213 : ill
leitav
http://dx.doi.org/10.1109/TPEL.2015.2510425
märksõna
jõutransistorid
pooljuhtseadised
lülitid
võtmesõna
base driver
gate driver
high efficiency
high switching frequency
high temperature
silicon carbide
switching performance
ISSN
0885-8993
märkused
Bibliogr.: 175 ref
TTÜ struktuuriüksus
elektrotehnika instituut
keel
inglise